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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD23382F4T由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD23382F4T价格参考。Texas InstrumentsCSD23382F4T封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 12V 3.5A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR。您可以下载CSD23382F4T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD23382F4T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Texas Instruments(德州仪器)的CSD23382F4T是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于单个FET器件。该型号具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和良好的热性能,适用于多种高效能电源管理及信号切换应用。 应用场景: 1. 电源管理: - DC-DC转换器:CSD23382F4T适用于降压、升压或升降压转换器中的开关元件。其低导通电阻有助于减少传导损耗,提高转换效率。 - 负载开关:用于控制电路中的电源通断,特别是在需要快速响应和低功耗的应用中,如移动设备、便携式电子产品等。 2. 电机驱动: - 无刷直流电机(BLDC)驱动:在电动工具、无人机、家用电器等应用中,MOSFET作为功率级的一部分,用于精确控制电机的速度和方向。 - 步进电机驱动:在工业自动化、3D打印机等领域,CSD23382F4T可以用于电流控制和相位切换。 3. 电池管理系统(BMS): - 电池保护电路:用于电动汽车、储能系统等大容量电池组的充放电保护。MOSFET可以快速切断电流,防止过充、过放或短路。 - 电量监测:通过精确控制电流路径,实现对电池状态的实时监测和管理。 4. 通信与网络设备: - 电信基站:用于电源模块中的开关元件,确保稳定供电并提高系统的可靠性。 - 服务器电源:数据中心的服务器通常需要高效的电源解决方案,CSD23382F4T可以用于服务器电源模块中的功率转换部分。 5. 消费电子: - 智能手表、平板电脑等便携设备:由于其低功耗特性,CSD23382F4T非常适合用于这些设备的电源管理和信号切换。 - 音频放大器:在音频设备中用于功率输出级,提供高质量的声音输出。 总之,CSD23382F4T凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种需要高效能功率控制和信号切换的领域,特别适合对体积、功耗和性能有严格要求的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 12V 22A 3PICOSTAR |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Texas Instruments |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | CSD23382F4T |
rohs | 库存产品核实请求 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
产品系列 | FemtoFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 235pF @ 6V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.35nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 76 毫欧 @ 500mA, 4.5V |
供应商器件封装 | 3-PICOSTAR |
其它名称 | 296-37874-1 |
制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD23382F4T |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 3-XFDFN |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 12V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.5A(Ta) |