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  • 型号: CSD23201W10
  • 制造商: Texas Instruments
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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CSD23201W10产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD23201W10由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD23201W10价格参考。Texas InstrumentsCSD23201W10封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 12V 2.2A(Tc) 1W(Ta) 4-DSBGA(1x1)。您可以下载CSD23201W10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD23201W10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGAMOSFET P-Ch NexFET Power MOSFETs

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.2 A

Id-连续漏极电流

2.2 A

品牌

Texas Instruments

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD23201W10NexFET™

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产品型号

CSD23201W10

PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

1000 mW

Pd-功率耗散

1000 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

82 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

82 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vds-漏源极击穿电压

12 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 6 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 6 V

上升时间

19 ns

下降时间

29 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

325pF @ 6V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

2.4nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

82 毫欧 @ 500mA,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

4-DSBGA(1x1)

其它名称

296-24258-2

典型关闭延迟时间

68 ns

制造商产品页

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD23201W10

功率-最大值

1W

包装

带卷 (TR)

商标

Texas Instruments

商标名

NexFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

4-UFBGA,DSBGA

封装/箱体

DSBGA-4

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

12V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.2A (Tc)

系列

CSD23201W10

视频文件

http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

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