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CSD23201W10产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD23201W10由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD23201W10价格参考。Texas InstrumentsCSD23201W10封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 12V 2.2A(Tc) 1W(Ta) 4-DSBGA(1x1)。您可以下载CSD23201W10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD23201W10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGAMOSFET P-Ch NexFET Power MOSFETs |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.2 A |
Id-连续漏极电流 | 2.2 A |
品牌 | Texas Instruments |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD23201W10NexFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | CSD23201W10 |
PCN过时产品 | |
Pd-PowerDissipation | 1000 mW |
Pd-功率耗散 | 1000 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 82 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 82 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 6 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 6 V |
上升时间 | 19 ns |
下降时间 | 29 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 325pF @ 6V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.4nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 82 毫欧 @ 500mA,4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 4-DSBGA(1x1) |
其它名称 | 296-24258-2 |
典型关闭延迟时间 | 68 ns |
制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD23201W10 |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Texas Instruments |
商标名 | NexFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 4-UFBGA,DSBGA |
封装/箱体 | DSBGA-4 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 12V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.2A (Tc) |
系列 | CSD23201W10 |
视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain |