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型号： CSD19533Q5A
制造商： Texas Instruments
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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CSD19533Q5A产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD19533Q5A由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD19533Q5A价格参考。Texas InstrumentsCSD19533Q5A封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 100V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)。您可以下载CSD19533Q5A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD19533Q5A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 100V 100A 8SONMOSFET 100V 7.8mOhm N-CH Pwr MOSFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	100 A
Id-连续漏极电流	75 A
品牌	Texas Instruments
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
产品系列	晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD19533Q5ANexFET™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	CSD19533Q5A
Pd-PowerDissipation	3.2 W
Pd-功率耗散	3.2 W
Qg-GateCharge	27 nC
Qg-栅极电荷	27 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	8.7 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	8.7 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2.8 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2.8 V
上升时间	6 ns
下降时间	5 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3.4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2670pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	35nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	11.1 毫欧 @ 13A， 6V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SON（5x6）
其它名称	296-37479-6
典型关闭延迟时间	16 ns
制造商产品页	http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD19533Q5A
功率-最大值	3.2W
包装	Digi-Reel®
商标	Texas Instruments
商标名	NexFET
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-TDFN 裸露焊盘
封装/箱体	VSON-8 FET
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	63 ns
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	100A（Ta）
系列	CSD19533Q5A
通道模式	Enhancement
配置	Single