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  • 型号: CSD19531Q5AT
  • 制造商: Texas Instruments
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD19531Q5AT由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD19531Q5AT价格参考。Texas InstrumentsCSD19531Q5AT封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 100A(Ta) 3.3W(Ta),125W(Tc) 8-VSONP(5x6)。您可以下载CSD19531Q5AT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD19531Q5AT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 100A 8SON

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Texas Instruments

数据手册

点击此处下载产品Datasheethttp://www.ti.com/lit/pdf/slpt033

产品图片

产品型号

CSD19531Q5AT

rohs

库存产品核实请求 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

NexFET™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3870pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

48nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6.4 毫欧 @ 16A,10V

供应商器件封装

8-VSON (5x6)

其它名称

296-37749-6

制造商产品页

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD19531Q5AT

功率-最大值

3.3W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SMD,扁平引线

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A(Ta)

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