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Datasheet下载- 型号： CSD19502Q5B
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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CSD19502Q5B产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD19502Q5B由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD19502Q5B价格参考。Texas InstrumentsCSD19502Q5B封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 80V 100A（Ta） 3.1W（Ta），195W（Tc） 8-VSON-CLIP（5x6）。您可以下载CSD19502Q5B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD19502Q5B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 100A 8SONMOSFET N-CH 3.4mOhm 80V Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 138 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD19502Q5BNexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD19502Q5B |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.2 W |
| Pd-功率耗散 | 3.2 W |
| Qg-GateCharge | 48 nC |
| Qg-栅极电荷 | 48 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.7 V |
| 上升时间 | 6 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4870pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 62nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.1 毫欧 @ 19A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-VSON （5x6） |
| 其它名称 | 296-37194-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD19502Q5B |
| 功率-最大值 | 3.2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | VSON-8 Clip |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 88 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A（Ta） |
| 系列 | CSD19502Q5B |
| 配置 | Single |
