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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 80V 100A TO220MOSFET 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
Id-连续漏极电流 | 121 A |
品牌 | Texas Instruments |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD19501KCSNexFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | CSD19501KCS |
Pd-PowerDissipation | 217 W |
Pd-功率耗散 | 217 W |
Qg-GateCharge | 38 nC |
Qg-栅极电荷 | 38 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.2 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 6.2 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.6 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.6 V |
上升时间 | 15 ns |
下降时间 | 5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3980pF @ 40V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.6 毫欧 @ 60A, 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
其它名称 | 296-37286-5 |
制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD19501KCS |
功率-最大值 | 217W |
包装 | 管件 |
商标 | Texas Instruments |
商标名 | NexFET |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 137 S |
漏源极电压(Vdss) | 80V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A(Ta) |
系列 | CSD19501KCS |
配置 | Single |