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  • 型号: CSD19501KCS
  • 制造商: Texas Instruments
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD19501KCS由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD19501KCS价格参考。Texas InstrumentsCSD19501KCS封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CSD19501KCS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD19501KCS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 80V 100A TO220MOSFET 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

121 A

品牌

Texas Instruments

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产品图片

rohs

符合RoHS含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD19501KCSNexFET™

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产品型号

CSD19501KCS

Pd-PowerDissipation

217 W

Pd-功率耗散

217 W

Qg-GateCharge

38 nC

Qg-栅极电荷

38 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

6.2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

6.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

80 V

Vds-漏源极击穿电压

80 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.6 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.6 V

上升时间

15 ns

下降时间

5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3980pF @ 40V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

50nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6.6 毫欧 @ 60A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220-3

其它名称

296-37286-5
CSD19501KCS-ND

制造商产品页

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD19501KCS

功率-最大值

217W

包装

管件

商标

Texas Instruments

商标名

NexFET

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

137 S

漏源极电压(Vdss)

80V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A(Ta)

系列

CSD19501KCS

配置

Single

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