Datasheet下载- 型号： CSD19501KCS
- 制造商： Texas Instruments
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD19501KCS由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD19501KCS价格参考。Texas InstrumentsCSD19501KCS封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD19501KCS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD19501KCS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD19501KCS 是由 Texas Instruments（德州仪器）生产的一款高性能 N 沟道增强型 MOSFET，属于 NexFET™ 系列。该器件广泛应用于需要高效功率转换和低功耗的场景中，具体应用场景包括但不限于以下领域： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：适用于降压、升压或升降压转换器，用于提高效率并降低热损耗。 - 开关电源（SMPS）：在笔记本电脑适配器、手机充电器等设备中作为主开关管使用。 - 负载开关：用于动态控制电路中的电流流动，确保系统稳定运行。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，提供高效的开关性能和精确的电流控制。 - 在无人机、电动工具或其他便携式设备中，实现电机的启动、停止和调速功能。 3. 电池管理系统（BMS） - 在锂电池保护电路中，用作充放电路径的开关，确保电池安全运行。 - 实现过流保护、短路保护以及欠压/过压保护等功能。 4. 汽车电子 - 应用于车载电子设备，如信息娱乐系统、LED 驱动、车身控制模块（BCM）等。 - 在新能源汽车中，用于电池管理、逆变器控制和其他功率转换环节。 5. 消费类电子产品 - 用于智能手机、平板电脑、智能音箱等设备的内部电源管理单元（PMU）。 - 在 USB-C 和 PD（Power Delivery）充电方案中，作为关键功率开关元件。 6. 工业应用 - 在工业自动化设备中，用于伺服驱动、PLC 控制模块等场合。 - 提供高可靠性和长寿命的开关解决方案，满足严苛的工作环境需求。 特性优势 CSD19501KCS 的低导通电阻（Rds(on)）和快速开关速度使其非常适合高频开关应用，能够显著减少能量损耗并提升整体系统效率。同时，其紧凑的封装形式（如 QFN 封装）有助于节省 PCB 空间，特别适合对尺寸敏感的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 100A TO220MOSFET 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 121 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD19501KCSNexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD19501KCS |
| Pd-PowerDissipation | 217 W |
| Pd-功率耗散 | 217 W |
| Qg-GateCharge | 38 nC |
| Qg-栅极电荷 | 38 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.6 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3980pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.6 毫欧 @ 60A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | 296-37286-5 |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD19501KCS |
| 功率-最大值 | 217W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 137 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A（Ta） |
| 系列 | CSD19501KCS |
| 配置 | Single |
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