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  • 型号: CSD18537NKCS
  • 制造商: Texas Instruments
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD18537NKCS由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD18537NKCS价格参考。Texas InstrumentsCSD18537NKCS封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CSD18537NKCS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD18537NKCS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3MOSFET 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

54 A

Id-连续漏极电流

54 A

品牌

Texas Instruments

产品手册

http://www.ti.com/lit/gpn/csd18537nkcs

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免不受无铅要求限制 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制

产品系列

晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD18537NKCSNexFET™

数据手册

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产品型号

CSD18537NKCS

Pd-PowerDissipation

79 W

Pd-功率耗散

79 W

Qg-GateCharge

14 nC

Qg-栅极电荷

14 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

14 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

14 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

3.2 ns

下降时间

3.9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1480pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

18nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

14 毫欧 @ 25A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220-3

其它名称

296-36456-5
CSD18537NKCS-ND

典型关闭延迟时间

12.6 ns

功率-最大值

79W

包装

管件

商标

Texas Instruments

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

100 S

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

50A(Tc)

系列

CSD18537NKCS

通道模式

Enhancement

配置

Single

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