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CSD18534Q5A产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD18534Q5A由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD18534Q5A价格参考。Texas InstrumentsCSD18534Q5A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 13A(Ta),50A(Tc) 3.1W(Ta),77W(Tc) 8-VSONP(5x6)。您可以下载CSD18534Q5A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD18534Q5A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 60V 8SONMOSFET 60V N-Ch NexFET Pwr MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 69 A |
Id-连续漏极电流 | 69 A |
品牌 | Texas Instruments |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD18534Q5ANexFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | CSD18534Q5A |
Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
Pd-功率耗散 | 3.1 W |
Qg-GateCharge | 17 nC |
Qg-栅极电荷 | 17 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.9 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 12.4 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.9 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.9 V |
上升时间 | 5.5 ns |
下降时间 | 2 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1770pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.8 毫欧 @ 14A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SON(5x6) |
其它名称 | 296-35583-1 |
典型关闭延迟时间 | 15 ns |
制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD18534Q5A |
功率-最大值 | 3.1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Texas Instruments |
商标名 | NexFET |
安装类型 | * |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | VSON-8 FET |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 122 S |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13A(Ta), 50A(Tc) |
系列 | CSD18534Q5A |
配置 | Single |