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型号： CSD18534KCS
制造商： Texas Instruments
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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CSD18534KCS产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD18534KCS由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD18534KCS价格参考￥3.33-￥7.47。Texas InstrumentsCSD18534KCS封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 60V 45A（Ta），100A（Tc） 107W（Tc） TO-220-3。您可以下载CSD18534KCS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD18534KCS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3MOSFET 60V N-Chnl NexFET Pwr MOSFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	100 A
Id-连续漏极电流	71 A
品牌	Texas Instruments
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD18534KCSNexFET™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	CSD18534KCS
Pd-PowerDissipation	98 W
Pd-功率耗散	98 W
Qg-GateCharge	19 nC
Qg-栅极电荷	19 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	10.2 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	13.3 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2.3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	1.9 V
上升时间	4.8 ns
下降时间	2.4 n
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1880pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	24nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	9.5 毫欧 @ 40A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220-3
其它名称	296-35012 CSD18534KCS-ND
典型关闭延迟时间	10.4 ns
制造商产品页	http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD18534KCS
功率-最大值	98W
包装	管件
商标	Texas Instruments
商标名	NexFET
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
正向跨导-最小值	100 S
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	45A（Ta）， 100A（Tc）
系列	CSD18534KCS
配置	Single