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  • 型号: CSD18533Q5A
  • 制造商: Texas Instruments
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD18533Q5A由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD18533Q5A价格参考¥3.92-¥4.67。Texas InstrumentsCSD18533Q5A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 17A(Ta),100A(Tc) 3.2W(Ta),116W(Tc) 8-VSONP(5x6)。您可以下载CSD18533Q5A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD18533Q5A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CSD18533Q5A 是由 Texas Instruments(德州仪器)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该型号具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于多种高效能电源管理和信号切换应用场景。以下是其主要应用领域:

 1. 电源管理
   CSD18533Q5A 常用于 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)、负载点转换器(POL)等电源管理系统中。由于其低导通电阻(Rds(on)),可以有效降低传导损耗,提高电源转换效率。此外,它还适用于电池充电电路、电压调节模块等,帮助实现高效的电力传输和管理。

 2. 电机驱动
   在电机控制应用中,MOSFET 是关键元件之一。CSD18533Q5A 可用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机和其他类型的电机驱动电路中。它的快速开关特性和低导通电阻有助于减少能耗,并提供更精确的电流控制,从而提升电机的响应速度和运行效率。

 3. 负载切换与保护
   该 MOSFET 还广泛应用于负载切换电路中,如智能开关、继电器替代方案等。它能够快速响应并切换负载,确保系统在不同工作模式下的稳定运行。同时,CSD18533Q5A 的过流保护和短路保护功能使其在保护电路中表现出色,防止因异常情况导致的损坏。

 4. 通信设备
   在通信基础设施中,如基站、路由器等设备,CSD18533Q5A 可用于电源分配网络中的功率级管理,确保各个模块获得稳定的供电。此外,它还可以用于射频前端的开关控制,帮助实现信号路径的灵活切换,支持多频段和多制式的通信需求。

 5. 消费电子
   该型号也常见于消费电子产品中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备。它不仅有助于延长电池寿命,还能提高设备的整体性能,尤其是在需要高效电源管理的场景下。

总之,CSD18533Q5A 凭借其优异的电气特性,在多个领域的高效电源管理和信号切换应用中发挥着重要作用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 60V 17A 8SONMOSFET 60V N-Chnl NexFET Pwr MSFT, CSD18533Q5

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

103 A

品牌

Texas Instruments

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制

产品系列

晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD18533Q5ANexFET™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

CSD18533Q5A

Pd-PowerDissipation

3.2 W

Pd-功率耗散

3.2 W

Qg-GateCharge

29 nC

Qg-栅极电荷

29 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

6.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.9 V

上升时间

5.5 ns

下降时间

2 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2750pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

36nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.9 毫欧 @ 18A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SON(5x6)

其它名称

296-35027-2
CSD18533Q5A-ND

典型关闭延迟时间

15 ns

制造商产品页

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD18533Q5A

功率-最大值

3.2W

包装

带卷 (TR)

商标

Texas Instruments

商标名

NexFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-TDFN 裸露焊盘

封装/箱体

VSON-8 FET

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

正向跨导-最小值

122 S

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

17A (Ta), 100A (Tc)

系列

CSD18533Q5A

配置

Single

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