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  • 型号: CSD18532Q5B
  • 制造商: Texas Instruments
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD18532Q5B由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD18532Q5B价格参考。Texas InstrumentsCSD18532Q5B封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CSD18532Q5B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD18532Q5B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 60V 23A 8VSONMOSFET 60-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

172 A

Id-连续漏极电流

172 A

品牌

Texas Instruments

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD18532Q5BNexFET™

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产品型号

CSD18532Q5B

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

3.2 W

Pd-功率耗散

3.2 W

Qg-GateCharge

21 nC

Qg-栅极电荷

44 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

3.3 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.3 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.8 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.8 V

上升时间

7.2 ns

下降时间

3.1 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5070pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

58nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.2 毫欧 @ 25A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SON(5x6)

其它名称

296-35628-6

典型关闭延迟时间

22 ns

制造商产品页

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD18532Q5B

功率-最大值

3.2W

包装

Digi-Reel®

商标

Texas Instruments

商标名

NexFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-TDFN 裸露焊盘

封装/箱体

VSON-8 Clip

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

143 S

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

23A(Ta), 100A(Tc)

系列

CSD18532Q5B

配置

Single

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