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  • 型号: CSD18532KCS
  • 制造商: Texas Instruments
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CSD18532KCS产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD18532KCS由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD18532KCS价格参考¥9.78-¥19.01。Texas InstrumentsCSD18532KCS封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 100A(Tc) 250W(Tc) TO-220-3。您可以下载CSD18532KCS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD18532KCS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CSD18532KCS是由Texas Instruments(德州仪器)生产的单个FET(场效应晶体管),具体来说是一款MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)。这款MOSFET属于N沟道增强型器件,广泛应用于多种电力电子设备和电路中。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   CSD18532KCS在电源管理领域有广泛应用,尤其是在开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等场景中。它能够高效地控制电流的开关,降低功耗并提高效率。由于其低导通电阻(Rds(on)),可以减少发热,提升系统的整体性能。

 2. 电机驱动
   在电机驱动应用中,CSD18532KCS可以作为功率级的一部分,用于控制电机的启动、停止和速度调节。它的快速开关特性和低损耗特性使其非常适合用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机的驱动电路中。

 3. 电池管理系统
   在电池管理系统(BMS)中,CSD18532KCS可用于电池充放电控制。它能够精确控制电流的流向,确保电池在安全范围内工作,防止过充或过放。此外,它还可以用于保护电路,防止短路或其他异常情况的发生。

 4. 工业自动化
   在工业自动化设备中,CSD18532KCS可用于控制各种负载,如电磁阀、继电器等。它的高可靠性和耐用性使其能够在恶劣的工业环境中长期稳定工作。此外,它还可以用于传感器接口电路中,提供信号隔离和放大功能。

 5. 消费电子产品
   在消费电子产品中,如笔记本电脑、智能手机和平板电脑等,CSD18532KCS可用于充电电路、背光驱动等场景。它的紧凑封装和高效性能使得它非常适合用于便携式设备,帮助延长电池寿命并提高用户体验。

 6. 汽车电子
   在汽车电子系统中,CSD18532KCS可用于车身控制系统、电动助力转向系统(EPS)、空调系统等。它能够承受较高的电压和电流冲击,确保汽车电子系统的稳定性和安全性。

总之,CSD18532KCS凭借其出色的电气性能和可靠性,适用于广泛的电力电子应用,特别是在需要高效、低损耗和快速响应的场景中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3MOSFET 60-V N-Chanel NxFT Pwr MOSFETs

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

Texas Instruments

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制

产品系列

晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD18532KCSNexFET™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

CSD18532KCS

Pd-PowerDissipation

216 W

Pd-功率耗散

216 W

Qg-GateCharge

44 nC

Qg-栅极电荷

44 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.2 V

上升时间

5.3 ns

下降时间

5.6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4680pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

53nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.2 毫欧 @ 100A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220-3

其它名称

296-34941-5

典型关闭延迟时间

24.2 ns

制造商产品页

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD18532KCS

功率-最大值

216W

包装

管件

商标

Texas Instruments

商标名

NexFET

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

146 S

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A(Tc)

系列

CSD18532KCS

配置

Single

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