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CSD18501Q5A产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD18501Q5A由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD18501Q5A价格参考¥4.63-¥10.42。Texas InstrumentsCSD18501Q5A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 22A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta),150W(Tc) 8-VSONP(5x6)。您可以下载CSD18501Q5A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD18501Q5A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Texas Instruments(德州仪器)的CSD18501Q5A是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于单个FET器件。该型号主要应用于需要高效功率转换和开关操作的场景中,特别适合于要求低导通电阻和快速开关速度的应用。 主要应用场景: 1. 电源管理: - DC-DC转换器:CSD18501Q5A具有较低的导通电阻(Rds(on)),能够有效减少导通损耗,提高电源转换效率。它适用于降压、升压或升降压转换器等电路。 - 开关电源(SMPS):在开关电源中,MOSFET作为开关元件,其快速开关特性和低损耗特性有助于提高系统的整体效率,降低发热。 2. 电机驱动: - 无刷直流电机(BLDC)控制:在电机驱动应用中,MOSFET用于控制电流流向电机绕组。CSD18501Q5A的低导通电阻和快速开关特性使其成为高效电机驱动的理想选择。 - 步进电机驱动:步进电机通常需要精确的电流控制,MOSFET可以提供高效的开关性能,确保电机平稳运行。 3. 电池管理系统(BMS): - 电池保护电路:在电池管理系统中,MOSFET可以用作电池充放电路径中的开关,防止过流、短路等情况。CSD18501Q5A的低导通电阻有助于减少电池能量损耗,延长电池寿命。 4. 负载开关: - 智能负载切换:在多电源系统中,MOSFET可以用于实现负载的快速切换,确保系统在不同电源之间的平滑过渡。CSD18501Q5A的快速响应时间和低损耗特性使其非常适合此类应用。 5. LED驱动: - 大功率LED照明:在LED驱动电路中,MOSFET用于调节电流以确保LED的亮度和稳定性。CSD18501Q5A的高效性能有助于减少热量产生,延长LED的使用寿命。 总结: CSD18501Q5A凭借其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、电池管理、负载开关和LED驱动等领域,尤其适合对效率和性能有较高要求的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 40V 8SONMOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
Id-连续漏极电流 | 155 A |
品牌 | Texas Instruments |
产品手册 | http://www.ti.com/lit/gpn/csd18501q5a |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD18501Q5ANexFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | CSD18501Q5A |
Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
Pd-功率耗散 | 3.1 W |
Qg-栅极电荷 | 42 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.3 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4.3 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.8 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3840pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.2 毫欧 @ 25A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SON(5x6) |
其它名称 | 296-30570-1 |
制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD18501Q5A |
功率-最大值 | 3.1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Texas Instruments |
商标名 | NexFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
封装/箱体 | VSON-8 FET |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 22A(Ta), 100A(Tc) |
系列 | CSD18501Q5A |
设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
配置 | Single |