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  • 型号: CSD18501Q5A
  • 制造商: Texas Instruments
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CSD18501Q5A产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD18501Q5A由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD18501Q5A价格参考¥4.63-¥10.42。Texas InstrumentsCSD18501Q5A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 22A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta),150W(Tc) 8-VSONP(5x6)。您可以下载CSD18501Q5A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD18501Q5A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Texas Instruments(德州仪器)的CSD18501Q5A是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于单个FET器件。该型号主要应用于需要高效功率转换和开关操作的场景中,特别适合于要求低导通电阻和快速开关速度的应用。

 主要应用场景:

1. 电源管理:
   - DC-DC转换器:CSD18501Q5A具有较低的导通电阻(Rds(on)),能够有效减少导通损耗,提高电源转换效率。它适用于降压、升压或升降压转换器等电路。
   - 开关电源(SMPS):在开关电源中,MOSFET作为开关元件,其快速开关特性和低损耗特性有助于提高系统的整体效率,降低发热。

2. 电机驱动:
   - 无刷直流电机(BLDC)控制:在电机驱动应用中,MOSFET用于控制电流流向电机绕组。CSD18501Q5A的低导通电阻和快速开关特性使其成为高效电机驱动的理想选择。
   - 步进电机驱动:步进电机通常需要精确的电流控制,MOSFET可以提供高效的开关性能,确保电机平稳运行。

3. 电池管理系统(BMS):
   - 电池保护电路:在电池管理系统中,MOSFET可以用作电池充放电路径中的开关,防止过流、短路等情况。CSD18501Q5A的低导通电阻有助于减少电池能量损耗,延长电池寿命。

4. 负载开关:
   - 智能负载切换:在多电源系统中,MOSFET可以用于实现负载的快速切换,确保系统在不同电源之间的平滑过渡。CSD18501Q5A的快速响应时间和低损耗特性使其非常适合此类应用。

5. LED驱动:
   - 大功率LED照明:在LED驱动电路中,MOSFET用于调节电流以确保LED的亮度和稳定性。CSD18501Q5A的高效性能有助于减少热量产生,延长LED的使用寿命。

 总结:
CSD18501Q5A凭借其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、电池管理、负载开关和LED驱动等领域,尤其适合对效率和性能有较高要求的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 40V 8SONMOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

155 A

品牌

Texas Instruments

产品手册

http://www.ti.com/lit/gpn/csd18501q5a

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制

产品系列

晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD18501Q5ANexFET™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

CSD18501Q5A

Pd-PowerDissipation

3.1 W

Pd-功率耗散

3.1 W

Qg-栅极电荷

42 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

3.3 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.3 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.8 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3840pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

50nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.2 毫欧 @ 25A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SON(5x6)

其它名称

296-30570-1

制造商产品页

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD18501Q5A

功率-最大值

3.1W

包装

剪切带 (CT)

商标

Texas Instruments

商标名

NexFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

VSON-8 FET

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

22A(Ta), 100A(Tc)

系列

CSD18501Q5A

设计资源

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176

配置

Single

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