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型号： CSD17570Q5B
制造商： Texas Instruments
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD17570Q5B由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD17570Q5B价格参考。Texas InstrumentsCSD17570Q5B封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 30V 100A（Ta） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）。您可以下载CSD17570Q5B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD17570Q5B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CSD17570Q5B 是由德州仪器（Texas Instruments）生产的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要用于功率转换和电机驱动等应用场景。其主要特点包括低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。

 应用场景：

1. 电源管理：
   - CSD17570Q5B 常用于各种电源管理应用中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池充电器。它的低导通电阻（Rds(on)）能够减少传导损耗，提高转换效率，特别是在高频开关应用中表现优异。
   
2. 电机驱动：
   - 在无刷直流电机（BLDC）和步进电机的驱动电路中，CSD17570Q5B 可以作为功率级的一部分，提供高效的电流控制和快速的开关响应。其低导通电阻有助于降低发热，延长电机系统的使用寿命。
   
3. 负载切换：
   - 该MOSFET可用于负载切换电路，例如在汽车电子、工业控制系统和消费电子产品中，实现对负载的快速、可靠控制。其高开关速度和低损耗特性使得它在频繁切换的应用中表现出色。
   
4. 逆变器和变频器：
   - 在太阳能逆变器、UPS（不间断电源）和其他变频器应用中，CSD17570Q5B 可以用于逆变电路中的功率输出级，帮助实现高效的能量转换和稳定的输出电压。
   
5. 保护电路：
   - CSD17570Q5B 还可以用于过流保护、短路保护等电路中，凭借其快速的开关特性和低导通电阻，能够在故障发生时迅速切断电流，保护系统免受损坏。

总之，CSD17570Q5B 以其卓越的电气性能和可靠性，广泛应用于需要高效功率转换和精确电流控制的各类电子设备中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 30V 53A 8SON
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Texas Instruments
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	CSD17570Q5B
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	NexFET™
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.9V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	13600pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	121nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	0.69 毫欧 @ 50A， 10V
供应商器件封装	8-SON（5x6）
制造商产品页	http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD17570Q5B
功率-最大值	3.2W
包装	带卷（TR）
安装类型	*
封装/外壳	8-TDFN 裸露焊盘
标准包装	2,500
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	100A （Ta）