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CSD17527Q5A产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD17527Q5A由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD17527Q5A价格参考。Texas InstrumentsCSD17527Q5A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 65A(Tc) 3W(Ta) 8-VSONP(5x6)。您可以下载CSD17527Q5A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD17527Q5A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD17527Q5A 是一款由德州仪器(TI)生产的高效 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于需要高效率、低损耗和快速开关性能的电路中。以下是该元器件的主要应用场景: 1. 电源管理 CSD17527Q5A 适用于各种电源管理系统,如 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、电源模块等。它具有极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效减少功率损耗,提高转换效率。其快速开关特性也使得它在高频开关电源中表现出色,适合用于笔记本电脑、智能手机、平板电脑等便携式设备的充电器。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机和其他类型的电机驱动电路中。其低导通电阻和快速开关速度有助于提高电机的响应速度和效率,同时降低发热。CSD17527Q5A 还能承受较高的电流和电压波动,确保电机在不同负载条件下的稳定运行。 3. 电池管理系统(BMS) 在电池管理系统中,CSD17527Q5A 可以用作电池充放电路径的控制开关。它能够精确控制电流流动,防止过充或过放现象的发生,保护电池寿命。此外,其低功耗特性也有助于延长电池的使用时间,特别适用于电动汽车、储能系统等大容量电池应用。 4. 工业自动化 CSD17527Q5A 在工业自动化领域也有广泛应用,如伺服控制器、PLC(可编程逻辑控制器)、变频器等。它能够在复杂的工作环境中保持稳定的开关性能,支持高速数据传输和实时控制,满足工业级应用对可靠性和耐用性的要求。 5. 消费电子 除了上述专业领域外,CSD17527Q5A 还可用于消费电子产品中,如智能家电、音响设备、LED 照明系统等。它能够提供高效的电源管理和信号切换功能,提升产品的整体性能和用户体验。 总之,CSD17527Q5A 凭借其优异的电气特性和可靠性,在多个行业中都有着广泛的应用前景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 30V 65A 8SONMOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 65 A |
Id-连续漏极电流 | 13 A |
品牌 | Texas Instruments |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD17527Q5ANexFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | CSD17527Q5A |
Pd-PowerDissipation | 3 W |
Pd-功率耗散 | 3 W |
Qg-GateCharge | 2.8 nC |
Qg-栅极电荷 | 2.8 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 10.8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 15.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.6 V |
上升时间 | 8.2 ns |
下降时间 | 3.2 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 506pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.4nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10.8 毫欧 @ 11A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SON(5x6) |
其它名称 | 296-29021-1 |
典型关闭延迟时间 | 9.8 ns |
制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD17527Q5A |
功率-最大值 | 3W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Texas Instruments |
商标名 | NexFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
封装/箱体 | VSON-8 FET |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 44 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 65A(Tc) |
系列 | CSD17527Q5A |
视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
配置 | Single |