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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD17506Q5A由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD17506Q5A价格参考。Texas InstrumentsCSD17506Q5A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CSD17506Q5A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD17506Q5A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 100A 8SONMOSFET 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
Id-连续漏极电流 | 23 A |
品牌 | Texas Instruments |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS含铅 / 库存产品核实请求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD17506Q5ANexFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | CSD17506Q5A |
Pd-PowerDissipation | 3.2 W |
Pd-功率耗散 | 3.2 W |
Qg-GateCharge | 8.3 nC |
Qg-栅极电荷 | 8.3 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.2 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 5.3 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.3 V |
上升时间 | 13 ns |
下降时间 | 5.3 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1650pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4 毫欧 @ 20A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SON(5x6) |
其它名称 | 296-28408-1 |
典型关闭延迟时间 | 13 nS |
制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD17506Q5A |
功率-最大值 | 3.2W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Texas Instruments |
商标名 | NexFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
封装/箱体 | VSON-8 FET |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 76 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A(Tc) |
系列 | CSD17506Q5A |
视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
配置 | Single |