ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > CSD17501Q5A
Datasheet下载- 型号： CSD17501Q5A
- 制造商： Texas Instruments
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD17501Q5A由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD17501Q5A价格参考。Texas InstrumentsCSD17501Q5A封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSONP（5x6）。您可以下载CSD17501Q5A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD17501Q5A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD17501Q5A 是由德州仪器（Texas Instruments）生产的一款高效能的 N 通道增强型 MOSFET，广泛应用于需要高性能功率转换和电源管理的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 CSD17501Q5A 适用于各种电源管理应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器等。它具有低导通电阻（Rds(on)），能够有效减少导通损耗，提高电源转换效率。其快速开关特性也使得它在高频开关应用中表现出色，降低了开关损耗。 2. 电机驱动 在电机驱动领域，CSD17501Q5A 可用于控制电机的启动、停止和速度调节。由于其低导通电阻和快速开关速度，能够在高电流和高频工作条件下保持高效运行，适合用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机等的驱动电路。 3. 电池管理系统 在电池管理系统（BMS）中，CSD17501Q5A 可以用于电池充放电保护电路。它能够快速响应过流、短路等异常情况，并通过低导通电阻减少功耗，延长电池寿命。 4. 消费电子设备 该器件常用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式电子设备中的电源管理模块。它的小封装尺寸（SON 封装）使其非常适合空间受限的应用，同时其高效的性能有助于延长设备的续航时间。 5. 工业自动化 在工业自动化领域，CSD17501Q5A 可用于驱动各种传感器、执行器和其他负载。其高可靠性和耐高温特性使得它能够在恶劣的工业环境中稳定工作，适用于工厂自动化、机器人控制等场景。 6. 汽车电子 在汽车电子系统中，CSD17501Q5A 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、空调控制系统等。其符合 AEC-Q101 标准，确保了在汽车环境下的高可靠性。 总的来说，CSD17501Q5A 凭借其低导通电阻、快速开关速度和小封装尺寸，成为多种高性能电源管理和功率转换应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A 8SONMOSFET 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 28 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | http://www.ti.com/lit/gpn/csd17501q5a |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD17501Q5ANexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD17501Q5A |
| Pd-PowerDissipation | 3.2 W |
| Pd-功率耗散 | 3.2 W |
| Qg-GateCharge | 13.2 nC |
| Qg-栅极电荷 | 13.2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.3 V |
| 上升时间 | 17 ns |
| 下降时间 | 7.9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2630pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.9 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SON（5x6） |
| 其它名称 | 296-28437-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD17501Q5A |
| 功率-最大值 | 3.2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | VSON-8 FET |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 110 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A（Tc） |
| 系列 | CSD17501Q5A |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
| 配置 | Single |
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