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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD17483F4由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD17483F4价格参考¥0.54-¥0.85。Texas InstrumentsCSD17483F4封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 1.5A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR。您可以下载CSD17483F4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD17483F4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTARMOSFET 30V N-CH Pwr MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1.5 A |
Id-连续漏极电流 | 5 A |
品牌 | Texas Instruments |
产品手册 | http://www.ti.com/lit/gpn/csd17483f4 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD17483F4NexFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | CSD17483F4 |
Pd-PowerDissipation | 500 mW |
Pd-功率耗散 | 500 mW |
Qg-GateCharge | 1010 pC |
Qg-栅极电荷 | 1.01 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 260 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.85 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 850 mV |
上升时间 | 1.3 ns |
下降时间 | 3.4 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 190pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.3nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 240 毫欧 @ 500mA, 8V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 3-PICOSTAR |
典型关闭延迟时间 | 10.6 ns |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Texas Instruments |
商标名 | FemtoFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 3-XFDFN |
封装/箱体 | PicoStar-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向跨导-最小值 | 2.4 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.5A (Ta) |
系列 | CSD17483F4 |
配置 | Single |