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CSD17309Q3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD17309Q3由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD17309Q3价格参考。Texas InstrumentsCSD17309Q3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta),60A(Tc) 2.8W(Ta) 8-VSON-CLIP(3.3x3.3)。您可以下载CSD17309Q3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD17309Q3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Texas Instruments(德州仪器)的CSD17309Q3是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于单个FET类型。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和出色的热性能,适用于多种功率转换和电源管理应用场景。 应用场景 1. DC-DC转换器: CSD17309Q3广泛应用于DC-DC转换器中,特别是在降压、升压或升降压转换器中。其低导通电阻有助于减少传导损耗,提高转换效率。此外,快速开关特性使其适合高频开关应用,能够有效降低电磁干扰(EMI)并减小外部元件尺寸。 2. 电池管理系统(BMS): 在电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)和其他便携式电子设备的电池管理系统中,CSD17309Q3可用于电池保护电路、充电控制和放电路径管理。其低导通电阻有助于减少发热,延长电池寿命,并提高系统可靠性。 3. 电机驱动: 该MOSFET适用于小型电机驱动应用,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机。在这些应用中,CSD17309Q3可以作为功率级的一部分,用于控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低损耗特性有助于提高电机驱动系统的效率和响应速度。 4. 负载开关: 在电源管理和配电系统中,CSD17309Q3可以用作负载开关,用于动态控制电源的通断。其低导通电阻确保了在开启状态下最小的电压降,而快速开关特性则有助于实现精确的时序控制,防止电流浪涌和过冲。 5. 逆变器: 在太阳能逆变器和其他电力逆变器中,CSD17309Q3可用于逆变电路中的功率级,将直流电转换为交流电。其高效的开关特性和低损耗特性有助于提高逆变器的整体效率,减少热量产生,并延长设备使用寿命。 6. 消费电子: 该MOSFET还适用于各种消费电子产品,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理模块。它可以在这些设备中提供高效、可靠的电源切换和保护功能,确保设备在不同工作模式下的稳定运行。 总之,CSD17309Q3凭借其优异的电气性能和可靠性,适用于广泛的电源管理和功率转换应用,能够显著提升系统的效率和性能。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 30V 60A 8SONMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
Id-连续漏极电流 | 20 A |
品牌 | Texas Instruments |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免含铅 / 库存产品核实请求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD17309Q3NexFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | CSD17309Q3 |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 2.8 W |
Pd-功率耗散 | 2.8 W |
Qg-栅极电荷 | 7.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.9 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 6.3 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 8 V, + 10 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.2 V |
上升时间 | 9.9 ns |
下降时间 | 3.6 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.7V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1440pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.4 毫欧 @ 18A,8V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SON |
其它名称 | 296-27250-1 |
制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD17309Q3 |
功率-最大值 | 2.8W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Texas Instruments |
商标名 | NexFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | VSON-8 Clip |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A(Ta), 60A(Tc) |
系列 | CSD17309Q3 |
视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
配置 | Single |