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CSD17303Q5产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD17303Q5由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD17303Q5价格参考。Texas InstrumentsCSD17303Q5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 32A(Ta),100A(Tc) 3.2W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)。您可以下载CSD17303Q5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD17303Q5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD17303Q5 是一款由德州仪器(TI)生产的高性能 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子设备中。它具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于需要高效功率转换的场景。 主要应用场景: 1. 电源管理: CSD17303Q5 适用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等电源管理系统。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高转换效率。在这些应用中,MOSFET 的快速开关特性可以有效降低开关损耗,提升系统的整体性能。 2. 电机驱动: 在电机控制电路中,CSD17303Q5 可以作为功率级的一部分,用于驱动无刷直流电机(BLDC)、步进电机等。其高电流承载能力和快速响应速度能够确保电机平稳运行,并且在启动、停止和调速过程中提供稳定的电流输出。 3. 电池管理系统(BMS): 在电动汽车、储能系统等需要精确电池管理的应用中,CSD17303Q5 可以用于电池充放电控制电路。其低导通电阻有助于减少发热,延长电池寿命,并确保在大电流充放电时的安全性和稳定性。 4. 逆变器与变频器: 在太阳能逆变器、工业变频器等高频开关应用中,CSD17303Q5 的高开关速度和低损耗特性使其成为理想选择。它可以有效地将直流电转换为交流电,或调节交流电的频率和电压,满足不同负载的需求。 5. 便携式电子设备: 对于智能手机、平板电脑等便携式设备中的电源管理模块,CSD17303Q5 的紧凑封装和低功耗特性使其非常适合。它可以在有限的空间内提供高效的功率转换,同时保持较低的发热量。 6. 通信基站: 在通信基站的电源模块中,CSD17303Q5 可以用于实现高效的电源转换和稳压功能。其高可靠性和长寿命特性能够确保基站长时间稳定运行。 总之,CSD17303Q5 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场景,特别是在对能效和散热有严格要求的应用中表现尤为突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 30V 100A 8SONMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
Id-连续漏极电流 | 32 A |
品牌 | Texas Instruments |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD17303Q5NexFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | CSD17303Q5 |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 3.2 W |
Pd-功率耗散 | 3.2 W |
Qg-GateCharge | 18 nC |
Qg-栅极电荷 | 18 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.6 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.1 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.1 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.6V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3420pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.4 毫欧 @ 25A,8V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SON |
其它名称 | 296-27232-6 |
典型关闭延迟时间 | 27 ns |
制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD17303Q5 |
功率-最大值 | 3.2W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Texas Instruments |
商标名 | NexFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 2 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | VSON-8 Clip |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 114 S |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 100 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 32A(Ta), 100A(Tc) |
系列 | CSD17303Q5 |
视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
配置 | Single |