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CSD17303Q5产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD17303Q5由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD17303Q5价格参考。Texas InstrumentsCSD17303Q5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 32A(Ta),100A(Tc) 3.2W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)。您可以下载CSD17303Q5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD17303Q5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Texas Instruments(德州仪器)的CSD17303Q5是一款单通道MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),具体为N沟道增强型功率MOSFET。其应用场景非常广泛,尤其是在需要高效能、低功耗和高可靠性的电路设计中。 主要应用场景: 1. 电源管理: - DC-DC转换器:CSD17303Q5常用于开关模式电源(SMPS)中的同步整流或主开关,能够显著提高转换效率,减少能量损耗。 - 电池管理系统:在便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,该MOSFET可用于电池充电控制和保护电路,确保电池的安全和稳定运行。 2. 电机驱动: - 无刷直流电机(BLDC):在电动工具、无人机和其他小型电机应用中,CSD17303Q5可以作为逆变器的一部分,用于驱动电机,提供高效的电流控制。 - 伺服控制系统:在工业自动化领域,该MOSFET可用于精确控制电机的速度和位置,确保系统的响应速度和精度。 3. 负载开关: - 消费电子产品:在USB充电器、智能手表等设备中,CSD17303Q5可以用作负载开关,实现快速的通断控制,同时保持低导通电阻,减少发热和功耗。 - 汽车电子:在汽车的电源分配系统中,该MOSFET可以用于控制各种负载,如车灯、雨刷和空调系统,确保安全可靠的电力传输。 4. 信号切换: - 通信设备:在无线通信模块、路由器等设备中,CSD17303Q5可以用于高速信号切换,确保数据传输的稳定性和可靠性。 - 音频设备:在音响系统中,该MOSFET可用于切换不同的音频输入源,提供清晰的音质和低噪声性能。 优势特点: - 低导通电阻:CSD17303Q5具有极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少传导损耗,提高整体效率。 - 高耐压能力:其额定电压通常较高,适用于多种电压范围的应用场景。 - 快速开关特性:具备快速的开关速度,适合高频工作环境,减少开关损耗。 - 小封装尺寸:采用紧凑的封装形式,节省PCB空间,特别适合对体积要求严格的设计。 总之,CSD17303Q5凭借其出色的性能和可靠性,广泛应用于各种需要高效能和低功耗的电子设备中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 30V 100A 8SONMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
Id-连续漏极电流 | 32 A |
品牌 | Texas Instruments |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD17303Q5NexFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | CSD17303Q5 |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 3.2 W |
Pd-功率耗散 | 3.2 W |
Qg-GateCharge | 18 nC |
Qg-栅极电荷 | 18 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.6 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.1 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.1 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.6V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3420pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.4 毫欧 @ 25A,8V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SON |
其它名称 | 296-27232-6 |
典型关闭延迟时间 | 27 ns |
制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD17303Q5 |
功率-最大值 | 3.2W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Texas Instruments |
商标名 | NexFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 2 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | VSON-8 Clip |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 114 S |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 100 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 32A(Ta), 100A(Tc) |
系列 | CSD17303Q5 |
视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
配置 | Single |