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  • 型号: CSD17303Q5
  • 制造商: Texas Instruments
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CSD17303Q5产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD17303Q5由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD17303Q5价格参考。Texas InstrumentsCSD17303Q5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 32A(Ta),100A(Tc) 3.2W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)。您可以下载CSD17303Q5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD17303Q5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CSD17303Q5 是一款由德州仪器(TI)生产的高性能 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子设备中。它具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于需要高效功率转换的场景。

 主要应用场景:

1. 电源管理:
   CSD17303Q5 适用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等电源管理系统。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高转换效率。在这些应用中,MOSFET 的快速开关特性可以有效降低开关损耗,提升系统的整体性能。

2. 电机驱动:
   在电机控制电路中,CSD17303Q5 可以作为功率级的一部分,用于驱动无刷直流电机(BLDC)、步进电机等。其高电流承载能力和快速响应速度能够确保电机平稳运行,并且在启动、停止和调速过程中提供稳定的电流输出。

3. 电池管理系统(BMS):
   在电动汽车、储能系统等需要精确电池管理的应用中,CSD17303Q5 可以用于电池充放电控制电路。其低导通电阻有助于减少发热,延长电池寿命,并确保在大电流充放电时的安全性和稳定性。

4. 逆变器与变频器:
   在太阳能逆变器、工业变频器等高频开关应用中,CSD17303Q5 的高开关速度和低损耗特性使其成为理想选择。它可以有效地将直流电转换为交流电,或调节交流电的频率和电压,满足不同负载的需求。

5. 便携式电子设备:
   对于智能手机、平板电脑等便携式设备中的电源管理模块,CSD17303Q5 的紧凑封装和低功耗特性使其非常适合。它可以在有限的空间内提供高效的功率转换,同时保持较低的发热量。

6. 通信基站:
   在通信基站的电源模块中,CSD17303Q5 可以用于实现高效的电源转换和稳压功能。其高可靠性和长寿命特性能够确保基站长时间稳定运行。

总之,CSD17303Q5 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场景,特别是在对能效和散热有严格要求的应用中表现尤为突出。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 100A 8SONMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

32 A

品牌

Texas Instruments

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD17303Q5NexFET™

数据手册

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产品型号

CSD17303Q5

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

3.2 W

Pd-功率耗散

3.2 W

Qg-GateCharge

18 nC

Qg-栅极电荷

18 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.6 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.1 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.1 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.6V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3420pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

23nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.4 毫欧 @ 25A,8V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SON

其它名称

296-27232-6

典型关闭延迟时间

27 ns

制造商产品页

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD17303Q5

功率-最大值

3.2W

包装

Digi-Reel®

商标

Texas Instruments

商标名

NexFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

2 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-TDFN 裸露焊盘

封装/箱体

VSON-8 Clip

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

114 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

100 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

32A(Ta), 100A(Tc)

系列

CSD17303Q5

视频文件

http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001

设计资源

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176

配置

Single

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