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型号： CSD16556Q5B
制造商： Texas Instruments
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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CSD16556Q5B产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD16556Q5B由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD16556Q5B价格参考。Texas InstrumentsCSD16556Q5B封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 25V 100A（Tc） 3.2W（Ta），191W（Tc） 8-VSONP（5x6）。您可以下载CSD16556Q5B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD16556Q5B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 25V 100A 8VSONMOSFET 25V NexFET N Ch Pwr MosFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	263 A
Id-连续漏极电流	263 A
品牌	Texas Instruments
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	否含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
产品系列	晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD16556Q5BNexFET™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	CSD16556Q5B
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	3.2 W
Pd-功率耗散	3.2 W
Qg-GateCharge	36 nC
Qg-栅极电荷	36 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	1.2 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	1.2 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	25 V
Vds-漏源极击穿电压	25 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	10 V
Vgs-栅源极击穿电压	10 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	1.4 V
Vgsth-栅源极阈值电压	1.4 V
上升时间	34 ns
下降时间	13 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.7V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	6180pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	47nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	1.07 毫欧 @ 30A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SON（5x6）
其它名称	296-35627-1
典型关闭延迟时间	25 ns
制造商产品页	http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD16556Q5B
功率-最大值	3.2W
包装	剪切带（CT）
商标	Texas Instruments
商标名	NexFET
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-TDFN 裸露焊盘
封装/箱体	VSON-8 Clip
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	2 S
漏源极电压(Vdss)	25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	100A（Tc）
系列	CSD16556Q5B
配置	Single