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  • 型号: CSD16556Q5B
  • 制造商: Texas Instruments
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CSD16556Q5B产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD16556Q5B由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD16556Q5B价格参考。Texas InstrumentsCSD16556Q5B封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 25V 100A(Tc) 3.2W(Ta),191W(Tc) 8-VSONP(5x6)。您可以下载CSD16556Q5B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD16556Q5B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CSD16556Q5B 是由 Texas Instruments 生产的一款 N 通道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。这款晶体管属于功率 MOSFET 类别,具有低导通电阻(Rds(on))和高开关速度的特点。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
CSD16556Q5B 广泛应用于各种电源管理系统中,例如 DC-DC 转换器、降压/升压转换器等。由于其低导通电阻特性,能够有效减少传导损耗,提高电源转换效率,特别适用于需要高效能的便携式设备和电池供电系统。

 2. 电机控制
在电机驱动电路中,CSD16556Q5B 可以用作开关元件,用于控制电机的启动、停止和调速。其快速开关特性和低损耗使得它非常适合于无刷直流电机(BLDC)、步进电机等精密控制应用,如无人机、电动工具和家电产品中的电机控制系统。

 3. 负载切换
该 MOSFET 还可以用于负载切换电路,例如在汽车电子系统中作为继电器的替代品。它可以快速响应并可靠地切断或接通负载电流,确保系统的稳定性和安全性。此外,在服务器和数据中心的电源管理模块中,CSD16556Q5B 也常用于负载切换,以实现动态电源分配。

 4. 保护电路
在过流保护、短路保护等电路设计中,CSD16556Q5B 可以作为一个关键组件。当检测到异常情况时,MOSFET 可以迅速关断,防止损坏下游电路。这种保护功能对于消费电子产品、工业自动化设备等至关重要。

 5. 通信设备
在通信基站、路由器等设备中,CSD16556Q5B 可用于电源调节和信号处理电路。它的高频开关能力和低噪声特性有助于提升通信系统的性能,特别是在射频前端模块中,能够提供稳定的电源支持。

总之,CSD16556Q5B 凭借其出色的电气性能和可靠性,适用于多种需要高效能、低损耗和快速响应的应用场景,涵盖了从消费电子到工业控制等多个领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSONMOSFET 25V NexFET N Ch Pwr MosFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

263 A

Id-连续漏极电流

263 A

品牌

Texas Instruments

产品手册

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产品图片

rohs

否含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制

产品系列

晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD16556Q5BNexFET™

数据手册

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产品型号

CSD16556Q5B

PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

3.2 W

Pd-功率耗散

3.2 W

Qg-GateCharge

36 nC

Qg-栅极电荷

36 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.4 V

上升时间

34 ns

下降时间

13 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.7V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6180pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

47nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.07 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SON(5x6)

其它名称

296-35627-1

典型关闭延迟时间

25 ns

制造商产品页

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD16556Q5B

功率-最大值

3.2W

包装

剪切带 (CT)

商标

Texas Instruments

商标名

NexFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-TDFN 裸露焊盘

封装/箱体

VSON-8 Clip

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

2 S

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A(Tc)

系列

CSD16556Q5B

配置

Single

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