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- 型号： CSD16342Q5A
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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CSD16342Q5A产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD16342Q5A由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD16342Q5A价格参考。Texas InstrumentsCSD16342Q5A封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 25V 100A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-VSONP (5x6)。您可以下载CSD16342Q5A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD16342Q5A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 100A 8SONMOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 21 A |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS含铅 / 库存产品核实请求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD16342Q5ANexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD16342Q5A |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| Qg-栅极电荷 | 6.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 12.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.1nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.7 毫欧 @ 20A，8V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SON（5x6） |
| 其它名称 | 296-30314-1 |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD16342Q5A |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 3.8 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | VSON-8 FET |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 25 V |
| 漏极连续电流 | 21 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A（Tc） |
| 系列 | CSD16342Q5A |
| 配置 | Single |
