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  • 型号: CSD16322Q5C
  • 制造商: Texas Instruments
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD16322Q5C由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD16322Q5C价格参考。Texas InstrumentsCSD16322Q5C封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CSD16322Q5C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD16322Q5C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 25V 97A 8SONMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

21 A

品牌

Texas Instruments

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD16322Q5CNexFET™

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产品型号

CSD16322Q5C

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

3.1 W

Pd-功率耗散

3.1 W

Qg-GateCharge

6.8 nC

Qg-栅极电荷

6.8 nC

RdsOn-漏源导通电阻

5.8 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.1 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.1 V

上升时间

10.7 ns

下降时间

3.7 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1365pF @ 12.5V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

9.7nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5 毫欧 @ 20A,8V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SON

其它名称

296-25644-2

典型关闭延迟时间

12.3 ns

制造商产品页

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD16322Q5C

功率-最大值

3.1W

包装

带卷 (TR)

商标

Texas Instruments

商标名

NexFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

4.6 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-TDFN 裸露焊盘

封装/箱体

VSON-8 Clip

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

正向跨导-最小值

106 S

汲极/源极击穿电压

25 V

漏极连续电流

97 A

漏源极电压(Vdss)

25V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/texas-instruments/DualCool.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

21A(Ta), 97A(Tc)

系列

CSD16322Q5C

视频文件

http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001

设计资源

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176

配置

Single

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