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  • 型号: CSD16301Q2
  • 制造商: Texas Instruments
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD16301Q2由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD16301Q2价格参考。Texas InstrumentsCSD16301Q2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CSD16301Q2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD16301Q2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 25V 6-SONMOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

5 A

Id-连续漏极电流

5 A

品牌

Texas Instruments

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD16301Q2NexFET™

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产品型号

CSD16301Q2

Pd-PowerDissipation

2.3 W

Pd-功率耗散

2.3 W

Qg-GateCharge

2 nC

Qg-栅极电荷

2 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

23 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

29 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.1 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.1 V

上升时间

4.4 ns

下降时间

1.7 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.55V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

340pF @ 12.5V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

2.8nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

24 毫欧 @ 4A,8V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-SON

其它名称

296-25260-1

典型关闭延迟时间

4.1 ns

制造商产品页

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD16301Q2

功率-最大值

2.3W

包装

剪切带 (CT)

商标

Texas Instruments

商标名

NexFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-SMD,扁平引线

封装/箱体

WSON-6 FET

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

16.5 S

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5A (Tc)

系列

CSD16301Q2

视频文件

http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001

设计资源

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176

配置

Single

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