ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > CSD15571Q2
Datasheet下载- 型号： CSD15571Q2
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD15571Q2由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD15571Q2价格参考。Texas InstrumentsCSD15571Q2封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 22A（Ta） 2.5W（Ta） 6-SON（2x2）。您可以下载CSD15571Q2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD15571Q2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 22A 6-SONMOSFET 20V N-Channel NexFET Pwr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 52 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | http://www.ti.com/litv/slps435 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD15571Q2NexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD15571Q2 |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 2.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 2.5 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 19.2 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.45 V |
| 上升时间 | 17.2 ns |
| 下降时间 | 4.1 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.9V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 419pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-SON（2x2） |
| 典型关闭延迟时间 | 9.9 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 16 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | WSON-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 22 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A （Ta） |
| 系列 | CSD15571Q2 |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
