ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > CSD13201W10
Datasheet下载- 型号： CSD13201W10
- 制造商： Texas Instruments
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD13201W10由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD13201W10价格参考。Texas InstrumentsCSD13201W10封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 12V 1.6A（Ta） 1.2W（Ta） 4-DSBGA（1x1）。您可以下载CSD13201W10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD13201W10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD13201W10是由Texas Instruments（德州仪器）生产的一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。它属于增强型N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特点。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 CSD13201W10常用于电源管理电路中，如DC-DC转换器、降压/升压转换器等。由于其低导通电阻（Rds(on)），在开关过程中可以减少功率损耗，提高电源效率。特别是在高效能的电源设计中，这款MOSFET能够有效降低发热，延长设备寿命。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，CSD13201W10可用于控制电机的启动、停止和调速。它的高电流处理能力和快速开关特性使其适合驱动中小型电机，尤其是在需要频繁启停或调速的场合，如无人机、机器人、电动工具等。 3. 电池管理系统 在电池管理系统（BMS）中，CSD13201W10可以用于电池充放电控制。它能够精确控制电流流动，防止过充或过放，确保电池的安全性和寿命。此外，低导通电阻有助于减少电池内部的能量损耗，提升整体能效。 4. 负载开关 CSD13201W10也可作为负载开关使用，控制电路中的负载通断。它可以在短时间内承受较大的电流冲击，并且具有良好的热稳定性，适用于消费电子、工业自动化等领域中的负载控制。 5. LED驱动 在LED照明系统中，CSD13201W10可以用于驱动大功率LED灯。通过调节MOSFET的导通时间，可以实现对LED亮度的精确控制，同时保持较低的功耗和热量产生。 6. 通信设备 在通信设备中，如基站、路由器等，CSD13201W10可用于电源模块中的功率转换和信号调理。它的高频开关特性和低损耗特性使其非常适合这些应用场景。 总之，CSD13201W10凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各种电力电子设备中，尤其在需要高效能、低损耗和高可靠性的场景下表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 12V 20.2A 4DSBGA |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | CSD13201W10 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | NexFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 462pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 34 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 4-DSBGA（1x1） |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD13201W10 |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-UFBGA，DSBGA |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.6A （Ta） |
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