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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CPH6355-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH6355-TL-H价格参考。ON SemiconductorCPH6355-TL-H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CPH6355-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CPH6355-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET P-CH 30V 3A CPH6MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 3 A |
Id-连续漏极电流 | - 3 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor CPH6355-TL-H- |
数据手册 | |
产品型号 | CPH6355-TL-H |
Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
Pd-功率耗散 | 1.6 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 169 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 169 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 172pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.9nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 169 毫欧 @ 1.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-CPH |
功率-最大值 | 1.6W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
封装/箱体 | SOT-25-5 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3A (Ta) |
系列 | CPH6355 |