参数 |
数值 |
产品目录 |
分立半导体产品半导体 |
描述 |
MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223MOSFET N Ch Dep Mode FET 350V |
产品分类 |
FET - 单分离式半导体 |
FET功能 |
耗尽模式 |
FET类型 |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent |
5 mA |
Id-连续漏极电流 |
5 mA |
品牌 |
IXYS Integrated Circuits DivisionIXYS Integrated Circuits |
产品手册 |
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产品图片 |
|
rohs |
符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 |
晶体管,MOSFET,IXYS Integrated Circuits CPC5602CTR- |
数据手册 |
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产品型号 |
CPC5602CTRCPC5602CTR |
Pd-PowerDissipation |
2.5 W |
Pd-功率耗散 |
2.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance |
14 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 |
14 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage |
350 V |
Vds-漏源极击穿电压 |
350 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage |
+ / - 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 |
+ / - 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) |
- |
不同Vds时的输入电容(Ciss) |
300pF @ 0V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) |
- |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) |
14 欧姆 @ 50mA,350mV |
产品目录页面 |
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产品种类 |
MOSFET |
供应商器件封装 |
SOT-223 |
其它名称 |
CLA298DKR
|
功率-最大值 |
2.5W |
功率耗散 |
2.5 W |
包装 |
Digi-Reel® |
商标 |
IXYS Integrated Circuits |
安装类型 |
表面贴装 |
安装风格 |
SMD/SMT |
导通电阻 |
14 Ohms |
封装 |
Reel |
封装/外壳 |
TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 |
SOT-223-3 |
工厂包装数量 |
1000 |
晶体管极性 |
N-Channel |
最大工作温度 |
+ 85 C |
最小工作温度 |
- 40 C |
标准包装 |
1 |
汲极/源极击穿电压 |
350 V |
漏极连续电流 |
5 mA |
漏源极电压(Vdss) |
350V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) |
5mA (Ta) |
系列 |
CPC5602 |
通道模式 |
Depletion |
配置 |
Single Dual Drain |
闸/源击穿电压 |
+ / - 20 V |