【光隔离器 - 晶体管，光电输出_CNY17F-4】封装/厂家_CNY17F-4中文资料_价格

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型号： CNY17F-4
制造商： Everlight
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CNY17F-4由Everlight设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CNY17F-4价格参考。EverlightCNY17F-4封装/规格：光隔离器 - 晶体管，光电输出，光隔离器晶体管输出 5000Vrms 1 通道 6-DIP。您可以下载CNY17F-4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CNY17F-4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

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参数	数值
产品目录	隔离器半导体
描述	OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 6-DIP晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototrans
产品分类	光隔离器 - 晶体管，光电输出集成电路 - IC
品牌	Lite-On Inc
产品手册	http://optoelectronics.liteon.com/en-us/api/DwonloadFileHandler.ashx?txtSpecNo=DS-70-99-0032
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	光耦合器/光电耦合器,晶体管输出光电耦合器,Lite-On CNY17F-4-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	CNY17F-4
Vce饱和值（最大值）	300mV
上升/下降时间（典型值）	5µs， 5µs
产品目录绘图
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	晶体管输出光电耦合器
供应商器件封装	6-DIP
其它名称	160-1322-5
包装	管件
商标	Lite-On
安装类型	通孔
封装	Tube
封装/外壳	6-DIP（0.300"，7.62mm）
封装/箱体	PDIP-6
工作温度	-55°C ~ 100°C
工厂包装数量	65
打开/关闭时间（典型值）	-
最大上升时间	10 us
最大下降时间	10 us
最大功率耗散	250 mW
最大反向二极管电压	6 V
最大工作温度	+ 100 C
最大正向二极管电压	1.65 V
最大输入二极管电流	60 mA
最大集电极/发射极电压	70 V
最大集电极/发射极饱和电压	0.3 V
最大集电极电流	150 mA
最小工作温度	- 55 C
标准包装	65
每芯片的通道数量	1 Channel
电压-正向(Vf)（典型值）	1.45V
电压-输出（最大值）	70V
电压-隔离	5000Vrms
电流-DC正向(If)	60mA
电流-输出/通道	150mA
电流传输比（最大值）	320% @ 10mA
电流传输比（最小值）	160% @ 10mA
电流传递比	320 %
绝缘电压	5000 Vrms
输入类型	DC
输出类型	晶体管
输出设备	NPN Phototransistor
通道数	1

参数	数值
产品目录	隔离器半导体
描述	OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 6-DIP晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 160-320%
产品分类	光隔离器 - 晶体管，光电输出集成电路 - IC
品牌	Vishay Semiconductor Opto DivisionVishay Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	光耦合器/光电耦合器,晶体管输出光电耦合器,Vishay Semiconductors CNY17F-4-
数据手册	http://www.vishay.com/doc?83607
产品型号	CNY17F-4CNY17F-4
Vce饱和值（最大值）	400mV
上升/下降时间（典型值）	4.6µs， 15µs
产品目录绘图
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	晶体管输出光电耦合器
供应商器件封装	6-DIP
其它名称	751-1272-5 CNY17F-4GI CNY17F-4GI-ND
包装	管件
商标	Vishay Semiconductors
安装类型	通孔
封装	Tube
封装/外壳	6-DIP（0.300"，7.62mm）
封装/箱体	PDIP-6
工作温度	-55°C ~ 110°C
工厂包装数量	2000
打开/关闭时间（典型值）	6µs， 25µs
最大上升时间	2 us
最大下降时间	2 us
最大功率耗散	150 mW
最大反向二极管电压	6 V
最大工作温度	+ 100 C
最大正向二极管电压	1.65 V
最大输入二极管电流	60 mA
最大集电极/发射极电压	70 V
最大集电极/发射极饱和电压	0.4 V
最大集电极电流	100 mA
最小工作温度	- 55 C
标准包装	2,000
正向电流	60 mA
每芯片的通道数量	1 Channel
电压-正向(Vf)（典型值）	1.39V
电压-输出（最大值）	70V
电压-隔离	5000Vrms
电流-DC正向(If)	60mA
电流-输出/通道	50mA
电流传输比（最大值）	320% @ 10mA
电流传输比（最小值）	160% @ 10mA
电流传递比	320 %
系列	CNY
绝缘电压	5000 Vrms
输入类型	DCDC
输出类型	晶体管DC
输出设备	NPN Phototransistor
通道数	1
配置	1 Channel