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产品简介:
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参数 | 数值 |
品牌 | Central Semiconductor |
产品目录 | 半导体 |
描述 | 两极晶体管 - BJT PNP Enhanced |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Central Semiconductor CMPT2907AE TR |
产品型号 | CMPT2907AE TR |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | Central Semiconductor |
增益带宽产品fT | 200 MHz |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/箱体 | SOT-23 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
最大功率耗散 | 350 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
直流电流增益hFE最大值 | 300 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
系列 | CMPT2907AE |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
集电极—基极电压VCBO | 90 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.28 V |
集电极连续电流 | 600 mA |