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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CMF20120D由Cree设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CMF20120D价格参考。CreeCMF20120D封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CMF20120D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CMF20120D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3MOSFET ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | SiCFET N 通道,碳化硅 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 33 A |
Id-连续漏极电流 | 33 A |
品牌 | Cree, Inc. |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Cree, Inc. CMF20120DZ-FET™ |
数据手册 | |
产品型号 | CMF20120D |
Pd-PowerDissipation | 150 W |
Pd-功率耗散 | 150 W |
Qg-GateCharge | 90.8 nC |
Qg-栅极电荷 | 90.8 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 80 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 80 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.2 kV |
Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
上升时间 | 38 ns |
下降时间 | 24 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1915pF @ 800V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 90.8nC @ 20V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 110 毫欧 @ 20A,20V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25362 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
典型关闭延迟时间 | 40 ns |
功率-最大值 | 150W |
功率耗散 | 150 W |
包装 | 管件 |
商标 | Cree, Inc. |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 80 mOhms |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
应用说明 | |
技术 | SiC |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 135 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 90.8 nC |
标准包装 | 30 |
正向跨导-最小值 | 7.3 S, 6.8 S |
汲极/源极击穿电压 | 1.2 kV |
漏极连续电流 | 33 A |
漏源极电压(Vdss) | 1200V(1.2kV) |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 42A (Tc) |
视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1471904079001 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | 25 V |