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  • 型号: CMF20120D
  • 制造商: Cree
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CMF20120D由Cree设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CMF20120D价格参考。CreeCMF20120D封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CMF20120D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CMF20120D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3MOSFET ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

SiCFET N 通道,碳化硅

Id-ContinuousDrainCurrent

33 A

Id-连续漏极电流

33 A

品牌

Cree, Inc.

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Cree, Inc. CMF20120DZ-FET™

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产品型号

CMF20120D

Pd-PowerDissipation

150 W

Pd-功率耗散

150 W

Qg-GateCharge

90.8 nC

Qg-栅极电荷

90.8 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

80 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

80 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

1.2 kV

Vds-漏源极击穿电压

1.2 kV

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.5 V

上升时间

38 ns

下降时间

24 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1915pF @ 800V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

90.8nC @ 20V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

110 毫欧 @ 20A,20V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25362

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247-3

典型关闭延迟时间

40 ns

功率-最大值

150W

功率耗散

150 W

包装

管件

商标

Cree, Inc.

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

80 mOhms

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

30

应用说明

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技术

SiC

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 135 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

90.8 nC

标准包装

30

正向跨导-最小值

7.3 S, 6.8 S

汲极/源极击穿电压

1.2 kV

漏极连续电流

33 A

漏源极电压(Vdss)

1200V(1.2kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

42A (Tc)

视频文件

http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1471904079001

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

25 V

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