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Datasheet下载- 型号： CGH40010P
- 制造商： Cree
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CGH40010P由Cree设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CGH40010P价格参考。CreeCGH40010P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet HEMT 28V 200mA 0Hz ~ 6GHz 14.5dB 12.5W 440196。您可以下载CGH40010P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CGH40010P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CGH40010P是由Cree（现Wolfspeed）制造的射频MOSFET晶体管，广泛应用于高频、高功率射频放大器中。该器件采用碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）技术，具有出色的高频性能和高功率密度，适用于多种射频应用场景。 应用场景： 1. 无线通信基站：CGH40010P在4G LTE和5G基站中发挥重要作用，特别是在功率放大器（PA）中。其高效率和宽带特性使其能够处理复杂的调制信号，满足现代通信系统对带宽和功率的要求。 2. 雷达系统：该器件适用于军事和民用雷达系统中的发射机部分，如相控阵雷达。其高功率输出和低失真特性确保了雷达系统的远距离探测能力和高分辨率。 3. 电子战设备：在电子对抗和干扰设备中，CGH40010P可以用于产生高功率射频信号，用于干扰敌方通信或雷达系统。其快速开关特性和高线性度有助于实现高效的干扰效果。 4. 卫星通信：在卫星地面站和卫星终端中，CGH40010P可用于射频功率放大，支持Ka波段等高频段的通信需求。其高效率和紧凑设计有助于减少散热需求，延长设备寿命。 5. 测试与测量仪器：在射频测试设备中，如信号发生器和频谱分析仪，CGH40010P可以提供稳定的高功率输出，确保测试结果的准确性和可靠性。 6. 工业加热与等离子体应用：在某些工业应用中，如等离子体发生器和材料加热设备，CGH40010P可以用于生成高频射频能量，驱动等离子体或加热材料。 总之，CGH40010P凭借其卓越的高频性能、高功率密度和可靠性，成为射频领域中不可或缺的关键组件，广泛应用于通信、雷达、电子战、卫星通信等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS 10W RF GAN HEMT 440196 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Cree Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CGH40010P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 440196 |
| 功率-输出 | 12.5W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.5dB |
| 封装/外壳 | 440196 |
| 晶体管类型 | HEMT |
| 标准包装 | 144 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 28V |
| 电流-测试 | 200mA |
| 频率 | 0Hz ~ 6GHz |
| 额定电流 | - |
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