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CD74HCT368M96产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CD74HCT368M96由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CD74HCT368M96价格参考。Texas InstrumentsCD74HCT368M96封装/规格:逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器, Buffer, Inverting 2 Element 2, 4 (Hex) Bit per Element 3-State Output 16-SOIC。您可以下载CD74HCT368M96参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CD74HCT368M96 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CD74HCT368M96 是由 Texas Instruments(德州仪器)生产的一款逻辑器件,属于缓冲器、驱动器、接收器和收发器类别。该型号是一款 8 位三态非反相缓冲器/线路驱动器,广泛应用于各种数字电路设计中。以下是其主要应用场景: 1. 数据总线驱动 CD74HCT368M96 可用于增强数据总线的驱动能力。在多负载或长距离传输的情况下,普通的信号可能无法提供足够的电流驱动能力,而该芯片可以有效放大信号,确保数据传输的稳定性和完整性。 2. 信号电平转换 由于其 HCT(High-speed CMOS with TTL-compatible inputs)技术特性,CD74HCT368M96 能够在不同的电压电平之间进行信号转换。例如,在 5V 和 3.3V 系统之间通信时,它可以作为电平转换器,确保信号兼容性。 3. 三态输出控制 该芯片支持三态输出功能,可以通过使能引脚(G 和 /G)控制输出状态为高阻态。这一特性使其非常适合用于共享总线系统,允许多个设备在同一总线上交替工作,避免信号冲突。 4. 存储器接口设计 在存储器系统中,CD74HCT368M96 可用作地址总线或数据总线的缓冲器,提高系统的可靠性和速度。特别是在多片存储器扩展的应用中,它能够减少主控芯片的负载。 5. 通信接口扩展 在一些需要扩展通信接口的场景中,该芯片可以用作信号中继器或缓冲器,以延长通信距离或增加连接设备的数量。 6. 工业控制与自动化 由于其高可靠性及宽工作电压范围(2V 至 6V),CD74HCT368M96 常用于工业控制领域,例如 PLC(可编程逻辑控制器)、传感器接口和数据采集系统中。 总之,CD74HCT368M96 的高性能、低功耗和广泛的电压兼容性使其成为数字电路设计中的重要组件,适用于需要信号增强、电平转换和多路复用的各种应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
描述 | IC INVERTER DL 4,2-INPUT 16SOIC缓冲器和线路驱动器 Hi-Spd CMOS Logic Hex Buffer/Line Drvr |
产品分类 | |
品牌 | Texas Instruments |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 逻辑集成电路,缓冲器和线路驱动器,Texas Instruments CD74HCT368M9674HCT |
数据手册 | |
产品型号 | CD74HCT368M96 |
产品种类 | 缓冲器和线路驱动器 |
传播延迟时间 | 30 ns at 4.5 V |
低电平输出电流 | 4 mA |
供应商器件封装 | 16-SOIC N |
元件数 | 2 |
其它名称 | 296-31613-6 |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 141.700 mg |
商标 | Texas Instruments |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-16 |
工作温度 | -55°C ~ 125°C |
工厂包装数量 | 2500 |
最大工作温度 | + 125 C |
最小工作温度 | - 55 C |
极性 | Inverting |
标准包装 | 1 |
每元件位数 | 2,4(六路) |
每芯片的通道数量 | 5 |
电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
电流-输出高,低 | 4mA,4mA |
电源电压-最大 | 5.5 V |
电源电压-最小 | 4.5 V |
电源电流 | 0.08 mA |
系列 | CD74HCT368 |
输入线路数量 | 6 |
输出类型 | 3-State |
输出线路数量 | 6 |
逻辑类型 | 缓冲器/线路驱动器, 反相 |
逻辑系列 | HCT |
高电平输出电流 | - 4 mA |