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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CCS050M12CM2由Cree设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CCS050M12CM2价格参考。CreeCCS050M12CM2封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 6 N-沟道(3 相桥) Mosfet 阵列 1200V(1.2kV) 87A(Tc) 337W 底座安装 模块。您可以下载CCS050M12CM2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CCS050M12CM2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
Ciss-InputCapacitance | 2.81 nF |
Ciss-输入电容 | 2.81 nF |
描述 | MODULE SIC 1.2KV 87A SIX-PACK分立半导体模块 1200V, 50A, SiC Six pack Module |
产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
FET功能 | 碳化硅 (SiC) |
FET类型 | 6 N-沟道(3 相桥) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 87 A |
Id-连续漏极电流 | 50 A |
品牌 | Cree Inc |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 分立半导体模块,Cree, Inc. CCS050M12CM2Z-FET™ Z-Rec™ |
数据手册 | |
产品型号 | CCS050M12CM2 |
Pd-PowerDissipation | 312 W |
Pd-功率耗散 | 312 W |
Qg-GateCharge | 180 nC |
Qg-栅极电荷 | 180 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.2 kV |
Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 10 V, + 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 10 V, + 25 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.3 V |
上升时间 | 19 ns |
下降时间 | 30 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 2.5mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2.810nF @ 800V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 20V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 34 毫欧 @ 50A, 20V |
产品 | Power Semiconductor Modules |
产品种类 | 分立半导体模块 |
供应商器件封装 | 模块 |
保持电流Ih最大值 | - |
典型关闭延迟时间 | 50 ns |
典型延迟时间 | - |
功率-最大值 | 337W |
包装 | 散装 |
反向电压 | - |
商标 | Cree, Inc. |
安装类型 | 底座安装 |
安装风格 | Through Hole |
封装/外壳 | 模块 |
封装/箱体 | Six-Pack-28 |
工作温度 | - |
工作电源电压 | - |
技术类型 | - |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | - |
最小工作温度 | - |
栅极触发电流-Igt | - |
标准包装 | 1 |
正向电压下降 | - |
正向跨导-最小值 | 21 S |
漏源极电压(Vdss) | 1200V(1.2kV) |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 87A |
类型 | Six-Pack SiC Modules |
系列 | CCS050M12CM2 |
负载电压 | 800 V |
输出电流 | - |
通道模式 | Enhancement |
配用 | /product-detail/zh/CRD-001/CRD-001-ND/4199824 |
配置 | Three Phase - PFC Modules |