ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > CAS300M12BM2
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Datasheet下载- 型号： CAS300M12BM2
- 制造商： Cree
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CAS300M12BM2由Cree设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CAS300M12BM2价格参考。CreeCAS300M12BM2封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 通道（半桥） Mosfet 阵列 1200V（1.2kV） 423A（Tc） 1660W 底座安装 模块。您可以下载CAS300M12BM2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CAS300M12BM2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Cree/Wolfspeed的CAS300M12BM2是一款碳化硅（SiC）MOSFET阵列，具有高效率、高温稳定性和快速开关特性。这款器件主要应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中，具体应用场景如下： 1. 电动汽车（EV）及混合动力汽车（HEV）：CAS300M12BM2适用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器以及电机驱动系统。其高效的功率转换能力有助于延长续航里程并减少能量损耗。 2. 工业电源和不间断电源（UPS）：在这些应用中，该MOSFET阵列能够提供稳定的直流输出，确保设备持续运行，并且在面对电压波动时保持良好的稳定性。此外，它还可以用于逆变器，将直流电转换为交流电以供各种电器使用。 3. 太阳能光伏逆变器：CAS300M12BM2可以提高光伏发电系统的整体效率，通过优化最大功率点跟踪（MPPT）算法来最大化能量采集效率。同时，它的低导通电阻减少了传导损耗，从而提升了系统的能源利用率。 4. 数据中心服务器电源：随着数据中心对能源效率的要求日益严格，采用这种高性能的SiC MOSFET可以帮助降低冷却成本，提升服务器的整体性能和可靠性。 5. 充电桩：无论是家用还是公共快充站，CAS300M12BM2都能显著改善充电速度和效率，缩短充电时间，满足用户对于快速充电的需求。 总之，CAS300M12BM2凭借其优异的电气特性，在众多电力电子领域展现出了巨大的潜力，特别是在追求高效、紧凑设计的应用场合中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOD SIC 1.2KV 300A HALF-BRIDGE |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| 品牌 | Cree Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CAS300M12BM2 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | Z-FET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 15mA (标准) |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11700pF @ 600V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1025nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.7 毫欧 @ 300A, 20V |
| 供应商器件封装 | 模块 |
| 功率-最大值 | 1660W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 模块 - 螺丝端子 |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 404A |
| 配用 | /product-detail/zh/CGD15HB62P/CGD15HB62P-ND/4867002 |
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