ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > CAS300M12BM2
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Datasheet下载- 型号： CAS300M12BM2
- 制造商： Cree
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CAS300M12BM2由Cree设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CAS300M12BM2价格参考。CreeCAS300M12BM2封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 通道（半桥） Mosfet 阵列 1200V（1.2kV） 423A（Tc） 1660W 底座安装 模块。您可以下载CAS300M12BM2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CAS300M12BM2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOD SIC 1.2KV 300A HALF-BRIDGE |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| 品牌 | Cree Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CAS300M12BM2 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | Z-FET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 15mA (标准) |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11700pF @ 600V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1025nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.7 毫欧 @ 300A, 20V |
| 供应商器件封装 | 模块 |
| 功率-最大值 | 1660W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 模块 - 螺丝端子 |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 404A |
| 配用 | /product-detail/zh/CGD15HB62P/CGD15HB62P-ND/4867002 |
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