ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单 > C5D50065D
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Datasheet下载- 型号： C5D50065D
- 制造商： Cree
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供C5D50065D由Cree设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 C5D50065D价格参考￥104.91-￥110.05。CreeC5D50065D封装/规格：二极管 - 整流器 - 单， 碳化硅肖特基 通孔 二极管 650V 100A（DC） TO-247-3。您可以下载C5D50065D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有C5D50065D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
C5D50065D 是一款陶瓷电容器，属于 C5D 系列，具有高可靠性和稳定性。这类电容器通常用于高频电路中，能够提供良好的频率响应和低损耗特性。以下是 C5D50065D 的一些典型应用场景： 1. **电源滤波**：在开关电源、直流电源等设备中，C5D50065D 可以用于滤除电源中的高频噪声和纹波，确保输出电压的稳定性和纯净度。其低ESR（等效串联电阻）和低ESL（等效串联电感）特性使其非常适合高频电源应用。 2. **射频电路**：在无线通信、雷达、卫星通信等射频电路中，C5D50065D 可以用作耦合电容或旁路电容，帮助消除干扰信号，提高信号的传输质量。其优异的高频性能和低损耗特性使得它能够在高频段保持稳定的性能。 3. **振荡电路**：在时钟振荡器、晶体振荡器等电路中，C5D50065D 可以用于稳定振荡频率，确保振荡器的精度和稳定性。其温度系数小，能够在不同温度环境下保持一致的电容值，从而保证振荡频率的稳定性。 4. **EMI抑制**：在电子设备中，电磁干扰（EMI）是一个常见的问题。C5D50065D 可以用于抑制电路中的电磁干扰，减少对外部环境的干扰以及外部干扰对电路的影响。其高频特性使其能够有效滤除高频噪声，提升系统的抗干扰能力。 5. **音频电路**：在音频放大器、耳机放大器等音频设备中，C5D50065D 可以用于耦合和旁路，确保音频信号的纯净度和保真度。其低损耗特性有助于减少信号失真，提升音质表现。 6. **工业控制**：在工业自动化设备中，C5D50065D 可以用于保护敏感的控制电路免受电磁干扰和瞬态电压的影响，确保系统的稳定运行。 总之，C5D50065D 以其高可靠性、低损耗和优异的高频性能，在各种电子设备中扮演着重要角色，广泛应用于电源管理、射频通信、音频处理等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 650V 50A TO-247-3肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 50A |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Cree, Inc. |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Cree, Inc. C5D50065DZ-Rec™ |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | C5D50065D |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.8V @ 50A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 1970pF @ 0V， 1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500µA @ 650V |
| 二极管类型 | 碳化硅肖特基 |
| 产品 | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 包装 | 散装 |
| 反向恢复时间(trr) | 0ns |
| 商标 | Cree, Inc. |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 峰值反向电压 | 650 V |
| 工作温度-结 | -55°C ~ 175°C |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 175 C |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 恢复时间 | - |
| 技术 | SiC |
| 最大二极管电容 | 1970 pF |
| 最大功率耗散 | 300 W |
| 最大反向漏泄电流 | - |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 400 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向电压下降 | - |
| 正向连续电流 | 100 A |
| 热阻 | 0.5°C/W Jc |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 650V |
| 电流-平均整流(Io) | 100A（DC） |
| 速度 | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 配置 | - |
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