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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供C4D20120D由Cree设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 C4D20120D价格参考。CreeC4D20120D封装/规格:二极管 - 整流器 - 阵列, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 16A Through Hole TO-247-3。您可以下载C4D20120D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有C4D20120D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Cree/Wolfspeed的C4D20120D是一款高性能、高可靠性的二极管整流器阵列,主要应用于电力电子领域。该器件采用碳化硅(SiC)材料制造,具备出色的耐高温、高频开关和低损耗特性,适用于多种高效能电源转换和功率管理场景。 应用场景: 1. 太阳能逆变器: C4D20120D可以用于太阳能光伏系统的逆变器中,将直流电转换为交流电。其高效的开关特性和低反向恢复损耗,有助于提高逆变器的整体效率,减少能量损失,延长设备寿命。 2. 电动汽车(EV)充电系统: 在电动汽车充电站和车载充电器中,该器件能够承受高电压和大电流,并且在高频工作条件下保持较低的功耗。这使得充电过程更加高效,缩短充电时间,同时减少发热问题。 3. 工业电源和电机驱动: 该整流器阵列可用于工业级的开关电源和电机驱动器,特别是在需要高可靠性和稳定性的应用场景中。例如,它可以在不间断电源(UPS)、伺服电机驱动和可编程逻辑控制器(PLC)等设备中发挥重要作用,确保系统的持续稳定运行。 4. 通信基站电源: 在通信基站中,C4D20120D可以作为高效整流器,提供稳定的直流电源供应。其低损耗特性有助于降低基站的能耗,提高能源利用效率,特别适合对散热要求较高的户外基站应用。 5. 数据中心电源管理: 数据中心的电源管理系统要求高效率和高可靠性。C4D20120D可以用于服务器电源和配电单元(PDU),帮助实现高效的电力传输和分配,减少电力浪费,提升整体能效。 6. 航空航天和军事设备: 由于其卓越的耐高温性能和抗辐射能力,C4D20120D也适用于航空航天和军事领域的特种电源设备,确保在极端环境下的稳定运行。 总之,C4D20120D凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种高要求的电力电子系统中,助力实现高效、可靠的电力转换和管理。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE SCHOTTKY 1200V 16A TO247肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x10A |
产品分类 | 二极管,整流器 - 阵列分离式半导体 |
品牌 | Cree, Inc. |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Cree, Inc. C4D20120DZ-Rec™ |
数据手册 | |
产品型号 | C4D20120D |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.8V @ 10A |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200µA @ 1200V |
二极管类型 | 碳化硅肖特基 |
二极管配置 | 1 对共阴极 |
产品 | Schottky Silicon Carbide Diodes |
产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 0ns |
商标 | Cree, Inc. |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
峰值反向电压 | 1.2 kV |
工作温度范围 | - 55 C to + 175 C |
工厂包装数量 | 30 |
恢复时间 | - |
技术 | SiC |
最大二极管电容 | 754 pF |
最大功率耗散 | 352 W |
最大反向漏泄电流 | 200 uA |
最大工作温度 | + 175 C |
最大浪涌电流 | 71 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
正向电压下降 | 1.8 V |
正向连续电流 | 20 A |
热阻 | 0.8°C/W Jc |
电压-DC反向(Vr)(最大值) | 1200V(1.2kV) |
电流-平均整流(Io)(每二极管) | 16A |
速度 | 无恢复时间 > 500mA(Io) |
配置 | Dual |