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  • 型号: C4D10120D
  • 制造商: Cree
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供C4D10120D由Cree设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 C4D10120D价格参考。CreeC4D10120D封装/规格:二极管 - 整流器 - 阵列, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 9A Through Hole TO-247-3。您可以下载C4D10120D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有C4D10120D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE SCHOTTKY 1200V 9A TO247肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x5A

产品分类

二极管,整流器 - 阵列分离式半导体

品牌

Cree, Inc.

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Cree, Inc. C4D10120DZ-Rec™

数据手册

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产品型号

C4D10120D

不同If时的电压-正向(Vf)

1.8V @ 5A

不同 Vr时的电流-反向漏电流

150µA @ 1200V

二极管类型

碳化硅肖特基

二极管配置

1 对共阴极

产品

Schottky Silicon Carbide Diodes

产品种类

肖特基二极管与整流器

供应商器件封装

TO-247-3

包装

管件

反向恢复时间(trr)

0ns

商标

Cree, Inc.

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

峰值反向电压

1.2 kV

工作温度范围

- 55 C to + 175 C

工厂包装数量

30

恢复时间

-

技术

SiC

最大二极管电容

390 pF

最大功率耗散

187 W

最大反向漏泄电流

150 uA

最大工作温度

+ 175 C

最大浪涌电流

46 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

正向电压下降

1.8 V

正向连续电流

10 A

热阻

0.8°C/W Jc

电压-DC反向(Vr)(最大值)

1200V(1.2kV)

电流-平均整流(Io)(每二极管)

9A

速度

无恢复时间 > 500mA(Io)

配置

Dual

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