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Datasheet下载- 型号： C4D08120E
- 制造商： Cree
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供C4D08120E由Cree设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 C4D08120E价格参考。CreeC4D08120E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载C4D08120E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有C4D08120E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTT 1.2KV 12.1A TO252-2肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 7.5A |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Cree, Inc. |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Cree, Inc. C4D08120EZ-Rec™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | C4D08120E |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 3V @ 2A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 560pF @ 0V，1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 250µA @ 1200V |
| 二极管类型 | 碳化硅肖特基 |
| 产品 | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | TO-252-2 |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 0ns |
| 商标 | Cree, Inc. |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | TO-252-2 |
| 峰值反向电压 | 1.2 kV |
| 工作温度-结 | -55°C ~ 175°C |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 175 C |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 恢复时间 | - |
| 技术 | SiC |
| 最大二极管电容 | 560 pF |
| 最大功率耗散 | 136 W |
| 最大反向漏泄电流 | 35 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 64 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 正向电压下降 | 1.8 V |
| 正向连续电流 | 7.5 A |
| 热阻 | 1.1°C/W Jc |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 1200V（1.2kV） |
| 电流-平均整流(Io) | 12.1A |
| 速度 | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 配置 | Single |
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