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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供C3D20060D由Cree设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 C3D20060D价格参考¥112.55-¥204.17。CreeC3D20060D封装/规格:二极管 - 整流器 - 阵列, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 600V 10A Through Hole TO-247-3。您可以下载C3D20060D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有C3D20060D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Cree/Wolfspeed的C3D20060D是一款基于碳化硅(SiC)技术的二极管,属于二极管 - 整流器 - 阵列类别。该器件具有高效率、高速开关和低反向恢复电荷的特点,适用于多种高性能应用场景,主要包括以下领域: 1. 电源转换系统:C3D20060D可用于太阳能逆变器、风能发电系统以及不间断电源(UPS)中,提供高效的功率转换和能量管理。 2. 电动汽车(EV)与混合动力汽车(HEV):在车载充电器(OBC)、DC-DC转换器和电机驱动系统中,该二极管能够显著提高系统的效率和可靠性,同时减少热损耗。 3. 工业驱动:用于工业电机驱动和变频器中,支持高效的能量传输和精确的速度控制,适用于工厂自动化和机器人技术。 4. 电信和服务器电源:在数据中心和通信基站的电源模块中,C3D20060D可以实现更高的功率密度和更低的能耗,满足现代设备对高效电源的需求。 5. 快速充电设备:应用于消费类和工业类快速充电器中,支持高功率输出并保持较低的温升,提升用户体验。 由于其出色的性能参数(如650V额定电压和20A额定电流),C3D20060D特别适合需要高频操作和高温环境的工作条件,是替代传统硅基二极管的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO247肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 2x10A |
产品分类 | 二极管,整流器 - 阵列分离式半导体 |
品牌 | Cree, Inc. |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Cree, Inc. C3D20060DZ-Rec™ |
数据手册 | |
产品型号 | C3D20060D |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.8V @ 10A |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50µA @ 600V |
二极管类型 | 碳化硅肖特基 |
二极管配置 | 1 对共阴极 |
产品 | Schottky Silicon Carbide Diodes |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=20536http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=15697 |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 0ns |
商标 | Cree, Inc. |
安装类型 | 通孔,径向 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
峰值反向电压 | 600 V |
工作温度范围 | - 55 C to + 175 C |
工厂包装数量 | 30 |
恢复时间 | - |
技术 | SiC |
最大二极管电容 | 480 pF |
最大功率耗散 | 136.3 W |
最大反向漏泄电流 | 50 uA |
最大工作温度 | + 175 C |
最大浪涌电流 | 250 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
正向电压下降 | 1.8 V |
正向连续电流 | 20 A |
热阻 | 0.75°C/W Jc |
电压-DC反向(Vr)(最大值) | 600V |
电流-平均整流(Io)(每二极管) | 10A |
速度 | 无恢复时间 > 500mA(Io) |
配置 | Dual |