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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供C2M1000170D由Cree设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 C2M1000170D价格参考。CreeC2M1000170D封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1700V 4.9A(Tc) 69W(Tc) TO-247-3。您可以下载C2M1000170D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有C2M1000170D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247MOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | SiCFET N 通道,碳化硅 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 4.9 A |
Id-连续漏极电流 | 4.9 A |
品牌 | Cree Inc |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Cree, Inc. C2M1000170DZ-FET™ |
数据手册 | |
产品型号 | C2M1000170D |
Pd-PowerDissipation | 69 W |
Pd-功率耗散 | 69 W |
Qg-GateCharge | 13 nC |
Qg-栅极电荷 | 13 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.7 kV |
Vds-漏源极击穿电压 | 1.7 kV |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 10 V, + 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 10 V, + 25 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.4 V |
上升时间 | 46 ns |
下降时间 | 9 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 191pF @ 1000V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 20V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.1 欧姆 @ 2A, 20V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30325 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
典型关闭延迟时间 | 15 ns |
功率-最大值 | 69W |
包装 | 管件 |
商标 | Cree, Inc. |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
技术 | SiC |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
正向跨导-最小值 | 0.9 S |
漏源极电压(Vdss) | 1700V (1.7kV) |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/c2m-family-of-silicon-carbide-power-mosfets/52365 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.9A (Tc) |
相关产品 | /product-detail/zh/CRD-001/CRD-001-ND/4199824 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |