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  • 型号: C2M1000170D
  • 制造商: Cree
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供C2M1000170D由Cree设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 C2M1000170D价格参考。CreeC2M1000170D封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1700V 4.9A(Tc) 69W(Tc) TO-247-3。您可以下载C2M1000170D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有C2M1000170D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247MOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

SiCFET N 通道,碳化硅

Id-ContinuousDrainCurrent

4.9 A

Id-连续漏极电流

4.9 A

品牌

Cree Inc

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Cree, Inc. C2M1000170DZ-FET™

数据手册

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产品型号

C2M1000170D

Pd-PowerDissipation

69 W

Pd-功率耗散

69 W

Qg-GateCharge

13 nC

Qg-栅极电荷

13 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

1.7 kV

Vds-漏源极击穿电压

1.7 kV

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 10 V, + 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 10 V, + 25 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.4 V

上升时间

46 ns

下降时间

9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.4V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

191pF @ 1000V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13nC @ 20V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.1 欧姆 @ 2A, 20V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30325

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247-3

典型关闭延迟时间

15 ns

功率-最大值

69W

包装

管件

商标

Cree, Inc.

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

30

技术

SiC

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

正向跨导-最小值

0.9 S

漏源极电压(Vdss)

1700V (1.7kV)

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/c2m-family-of-silicon-carbide-power-mosfets/52365

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.9A (Tc)

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通道模式

Enhancement

配置

Single

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