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Datasheet下载- 型号： C2M0160120D
- 制造商： Cree
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供C2M0160120D由Cree设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 C2M0160120D价格参考。CreeC2M0160120D封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 1200V 19A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3。您可以下载C2M0160120D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有C2M0160120D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
C2M0160120D 是一种贴片多层陶瓷电容器（MLCC），其典型应用场景如下： 1. 电源滤波 C2M0160120D 通常用于电源电路中的滤波，以去除电源中的噪声和纹波。它能够有效地抑制高频噪声，确保电源输出的稳定性。在开关电源、线性电源等设备中，该电容器可以放置在输入或输出端，帮助平滑电压波动，减少电磁干扰（EMI）。 2. 去耦与旁路 在数字电路和模拟电路中，C2M0160120D 可用作去耦电容或旁路电容。它的作用是为集成电路（IC）提供稳定的电源电压，防止由于电流瞬变引起的电压波动。特别是在高速数字电路中，该电容器可以快速响应瞬态电流需求，确保信号完整性。 3. 时钟电路与时序控制 在时钟振荡器或时序控制电路中，C2M0160120D 可用于稳定振荡频率，确保时钟信号的精度。它可以帮助消除因温度变化或电源波动引起的频率漂移，从而提高系统的可靠性和稳定性。 4. 射频（RF）电路 在射频电路中，C2M0160120D 可用于匹配网络、滤波器或谐振回路中。它的低ESR（等效串联电阻）和高Q值使其适合用于高频应用，能够有效抑制不必要的信号反射和损耗，提升信号传输质量。 5. 通信设备 在通信设备如手机、基站、路由器等中，C2M0160120D 常用于信号处理、滤波和耦合电路。它能够帮助滤除不需要的频率成分，确保信号的纯净度，同时还能提高抗干扰能力，保证通信的可靠性。 6. 消费电子 在消费电子产品如电视、音响、电脑等中，C2M0160120D 被广泛应用于音频处理、视频信号处理、电源管理等模块。它能够有效减少噪声，提升音视频的质量，并确保设备的长期稳定运行。 总之，C2M0160120D 凭借其小尺寸、高可靠性和良好的电气性能，在各种电子设备中发挥着重要作用，尤其是在需要高频滤波、去耦和信号处理的应用场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 1200V 17.7A TO-247MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | SiCFET N 通道，碳化硅 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 17.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 17.7 A |
| 品牌 | Cree, Inc. |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Cree, Inc. C2M0160120DZ-FET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | C2M0160120D |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| Qg-GateCharge | 32.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 32.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 160 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 160 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.2 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 10 V, + 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 10 V, + 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 500µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 527pF @ 800V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32.6nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 196 毫欧 @ 10A， 20V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
| 功率-最大值 | 125W |
| 功率耗散 | 125 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Cree, Inc. |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 160 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 技术 | SiC |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 32.6 nC |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 4.1 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 1.2 kV |
| 漏极连续电流 | 17.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/c2m-family-of-silicon-carbide-power-mosfets/52365 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17.7A （Tc） |
| 相关产品 | /product-detail/zh/CRD-001/CRD-001-ND/4199824 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 10 V, + 25 V |
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