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  • 型号: BZX84J-C5V6,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BZX84J-C5V6,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84J-C5V6,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84J-C5V6,115价格参考。NXP SemiconductorsBZX84J-C5V6,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 5.6V 550mW ±5% Surface Mount SOD-323F。您可以下载BZX84J-C5V6,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX84J-C5V6,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BZX84J-C5V6,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款齐纳二极管,属于二极管 - 齐纳 - 单类别。这款器件的主要应用场景包括:

 1. 电压稳压
   - BZX84J-C5V6,115 的齐纳电压为 5.6V(±5% 精度),非常适合用于低功率电路中的电压稳压。它能够将输出电压稳定在特定值,适用于电源电路中为敏感电子元件提供稳定的参考电压。

 2. 过压保护
   - 在电路设计中,该齐纳二极管可以用来防止输入电压过高对后级电路造成损坏。例如,在信号传输线路中,它可以限制瞬态高电压,从而保护后续的芯片或模块。

 3. 基准电压源
   - 由于其齐纳电压的稳定性,BZX84J-C5V6,115 可以用作精密基准电压源,为模拟电路(如运算放大器、比较器等)提供稳定的参考电压。

 4. 信号电平转换
   - 在需要将高电平信号转换为低电平信号的场景中,齐纳二极管可以通过钳位作用实现电平转换。例如,在数字通信接口中,它可以将输入信号限制在合适的范围内。

 5. ESD 和瞬态抑制
   - 该器件能够吸收短暂的高电压脉冲,因此常用于静电放电(ESD)保护和瞬态电压抑制,确保电路在恶劣环境下仍能正常工作。

 6. 音频和射频电路
   - 在一些音频或射频电路中,齐纳二极管可以用作限幅器,防止信号幅度过大导致失真或损坏后续放大器。

 参数特点:
- 额定功率:1.3W(典型值)
- 齐纳电压:5.6V
- 反向电流:较低,适合低功耗应用
- 封装形式:SOD-323(节省空间,适合表面贴装)

 总结:
BZX84J-C5V6,115 广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域。其小巧的封装和稳定的性能使其成为许多低功率电路中不可或缺的元件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 5.6V 550MW SOD323F稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZX84J-C5V6,115-

数据手册

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产品型号

BZX84J-C5V6,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同If时的电压-正向(Vf)

1.1V @ 100mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

1µA @ 2V

产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

SOD-323F

其它名称

568-8079-2
934061013115
BZX84J-C5V6 T/R
BZX84J-C5V6 T/R-ND
BZX84J-C5V6,115-ND

功率-最大值

550mW

功率耗散

550 mW

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±5%

封装

Reel

封装/外壳

SC-90,SOD-323F

封装/箱体

SC-90

工作温度

-65°C ~ 150°C

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

1 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

40 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

5.6V

电压容差

5 %

电压温度系数

0.25 mV/K

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

40 欧姆

零件号别名

BZX84J-C5V6 T/R

齐纳电压

5.6 V

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