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  • 型号: BZX84J-B5V6,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BZX84J-B5V6,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84J-B5V6,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84J-B5V6,115价格参考。NXP SemiconductorsBZX84J-B5V6,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 5.6V 550mW ±2% Surface Mount SOD-323F。您可以下载BZX84J-B5V6,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX84J-B5V6,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc.生产的BZX84J-B5V6,115是一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类别。其主要应用场景如下:

 1. 电压稳压
   - BZX84J-B5V6,115的齐纳击穿电压为5.6V,适合用于低电压电路中的稳压功能。它可以确保负载两端的电压稳定,即使输入电压或负载电流发生变化。
   - 应用实例:在电源电路中,为敏感电子元件提供稳定的参考电压。

 2. 过压保护
   - 该齐纳二极管可用于防止电路因瞬时高电压而损坏。当输入电压超过齐纳电压时,二极管导通并将电压钳位在安全范围内。
   - 应用实例:保护微控制器、传感器或其他精密器件免受电压浪涌的影响。

 3. 信号电平转换
   - 在信号处理电路中,BZX84J-B5V6,115可以用作信号电平的调整器,将输入信号限制在特定的电压范围内。
   - 应用实例:音频信号处理、数据通信接口中的电平匹配。

 4. 参考电压源
   - 齐纳二极管可以作为简单的参考电压源,为模拟电路(如运算放大器、比较器)提供基准电压。
   - 应用实例:在反馈控制电路中提供稳定的参考点。

 5. ESD保护
   - 虽然专门的ESD保护器件更常见,但BZX84J-B5V6,115也可以用于低功率电路中,防止静电放电对敏感元件造成损害。
   - 应用实例:保护输入/输出端口免受ESD影响。

 6. 电池管理系统
   - 在便携式设备中,齐纳二极管可用于监控和保护电池电压,确保其工作在安全范围内。
   - 应用实例:锂电池保护电路中的电压检测部分。

 总结
BZX84J-B5V6,115凭借其5.6V的齐纳电压和小型化设计,适用于多种低功耗、低电压的应用场景。它广泛应用于消费电子、工业设备、汽车电子等领域,特别是在需要简单、可靠电压调节或保护的场合。然而,在选择具体应用时,需注意其功率限制(最大功耗为400mW),以避免过载损坏。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 5.6V 550MW SOD323F稳压二极管 Diode Zener Single 5.6V 2% 550mW 2-Pin

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZX84J-B5V6,115-

数据手册

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产品型号

BZX84J-B5V6,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同If时的电压-正向(Vf)

1.1V @ 100mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

1µA @ 2V

产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

SOD-323F

其它名称

568-8073-1

功率-最大值

550mW

功率耗散

550 mW

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±2%

封装

Reel

封装/外壳

SC-90,SOD-323F

封装/箱体

SC-90

工作温度

-65°C ~ 150°C

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

1 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

40 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

5.6V

电压容差

2 %

电压温度系数

0.25 mV/K

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

40 欧姆

齐纳电压

5.6 V

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