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BZX84J-B5V6,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84J-B5V6,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84J-B5V6,115价格参考。NXP SemiconductorsBZX84J-B5V6,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 5.6V 550mW ±2% Surface Mount SOD-323F。您可以下载BZX84J-B5V6,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX84J-B5V6,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.生产的BZX84J-B5V6,115是一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类别。其主要应用场景如下: 1. 电压稳压 - BZX84J-B5V6,115的齐纳击穿电压为5.6V,适合用于低电压电路中的稳压功能。它可以确保负载两端的电压稳定,即使输入电压或负载电流发生变化。 - 应用实例:在电源电路中,为敏感电子元件提供稳定的参考电压。 2. 过压保护 - 该齐纳二极管可用于防止电路因瞬时高电压而损坏。当输入电压超过齐纳电压时,二极管导通并将电压钳位在安全范围内。 - 应用实例:保护微控制器、传感器或其他精密器件免受电压浪涌的影响。 3. 信号电平转换 - 在信号处理电路中,BZX84J-B5V6,115可以用作信号电平的调整器,将输入信号限制在特定的电压范围内。 - 应用实例:音频信号处理、数据通信接口中的电平匹配。 4. 参考电压源 - 齐纳二极管可以作为简单的参考电压源,为模拟电路(如运算放大器、比较器)提供基准电压。 - 应用实例:在反馈控制电路中提供稳定的参考点。 5. ESD保护 - 虽然专门的ESD保护器件更常见,但BZX84J-B5V6,115也可以用于低功率电路中,防止静电放电对敏感元件造成损害。 - 应用实例:保护输入/输出端口免受ESD影响。 6. 电池管理系统 - 在便携式设备中,齐纳二极管可用于监控和保护电池电压,确保其工作在安全范围内。 - 应用实例:锂电池保护电路中的电压检测部分。 总结 BZX84J-B5V6,115凭借其5.6V的齐纳电压和小型化设计,适用于多种低功耗、低电压的应用场景。它广泛应用于消费电子、工业设备、汽车电子等领域,特别是在需要简单、可靠电压调节或保护的场合。然而,在选择具体应用时,需注意其功率限制(最大功耗为400mW),以避免过载损坏。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | DIODE ZENER 5.6V 550MW SOD323F稳压二极管 Diode Zener Single 5.6V 2% 550mW 2-Pin |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZX84J-B5V6,115- |
数据手册 | |
产品型号 | BZX84J-B5V6,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 2V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOD-323F |
其它名称 | 568-8073-1 |
功率-最大值 | 550mW |
功率耗散 | 550 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±2% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-90,SOD-323F |
封装/箱体 | SC-90 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 1 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 40 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 5.6V |
电压容差 | 2 % |
电压温度系数 | 0.25 mV/K |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 40 欧姆 |
齐纳电压 | 5.6 V |