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产品简介:
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BZX84C6V2ET1G是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款单齐纳二极管。这款二极管的主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 电压稳压 BZX84C6V2ET1G主要用于电压稳压电路中,能够提供稳定的参考电压。其额定齐纳电压为6.2V,适用于需要精确电压控制的场合。例如,在电源电路中,它可以作为参考电压源,确保输出电压的稳定性,防止电压波动对后级电路的影响。 2. 过压保护 在一些敏感电路中,BZX84C6V2ET1G可以用作过压保护器件。当输入电压超过设定的阈值时,齐纳二极管会导通,将多余的电压泄放到地,从而保护后续电路免受高电压的损害。这种应用常见于传感器、通信接口等对电压敏感的设备中。 3. 信号箝位 在信号处理电路中,BZX84C6V2ET1G可以用于信号箝位,限制信号的幅值范围。通过将信号的峰值限制在一定的范围内,可以防止信号过冲或下冲,确保信号的完整性。这种应用常见于模拟信号处理、音频电路等场景。 4. 电源监控 在电源监控电路中,BZX84C6V2ET1G可以用作电压检测元件。通过监测电源电压是否达到或超过设定的齐纳电压,可以触发报警或采取其他保护措施。这种应用常用于嵌入式系统、工业控制系统等需要实时监控电源状态的场合。 5. 温度补偿 由于齐纳二极管的齐纳电压具有一定的温度特性,BZX84C6V2ET1G可以在某些精密电路中用于温度补偿。通过合理设计电路,可以利用齐纳二极管的温度系数来抵消其他元件的温度漂移,从而提高整个电路的稳定性。 6. 低功耗应用 BZX84C6V2ET1G具有较低的功耗特性,适用于对功耗要求较高的便携式设备和电池供电系统。它能够在保证性能的同时,减少能量损耗,延长设备的续航时间。 总之,BZX84C6V2ET1G凭借其稳定的齐纳电压、低功耗和良好的温度特性,广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要精确电压控制和保护的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 6.2V 225MW SOT23-3稳压二极管 6.2V 225mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor BZX84C6V2ET1G- |
数据手册 | |
产品型号 | BZX84C6V2ET1G |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 4V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | BZX84C6V2ET1GOS |
功率-最大值 | 225mW |
功率耗散 | 300 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±6% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 3 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 10 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 6.2V |
电压容差 | 6 % |
电压温度系数 | 2.05 mV/K |
系列 | BZX84C6V2E |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 10 欧姆 |
齐纳电压 | 6.2 V |
齐纳电流 | 10 mA |