ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单 > BZX84C5V6W-7-F
Datasheet下载- 型号： BZX84C5V6W-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84C5V6W-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84C5V6W-7-F价格参考。Diodes Inc.BZX84C5V6W-7-F封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 5.6V 200mW ±7% Surface Mount SOT-323。您可以下载BZX84C5V6W-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZX84C5V6W-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的BZX84C5V6W-7-F是一款齐纳二极管，主要用于电压稳压和过压保护等应用场景。以下是其主要应用领域： 1. 电源稳压：该型号齐纳二极管具有5.6V的稳定电压，适用于各种低电压电路中的稳压需求。例如，在电源电路中，它可以确保输出电压稳定在5.6V，防止电压波动对后续电路的影响。 2. 过压保护：当电路中出现瞬态高压时，BZX84C5V6W-7-F可以迅速导通，将多余的电压泄放到地，从而保护敏感元件免受损坏。这种特性使其广泛应用于传感器、通信接口、微控制器等设备中。 3. 参考电压源：由于其稳定的反向击穿电压特性，该齐纳二极管可以用作精密电压基准源。例如，在模拟电路设计中，它可以为运放、ADC/DAC等提供稳定的参考电压，确保测量精度。 4. 信号箝位：在信号处理电路中，BZX84C5V6W-7-F可用于限制输入或输出信号的幅度，防止信号超出安全范围。这对于保护音频、视频等信号链路中的关键组件非常重要。 5. 温度补偿：某些应用中，齐纳二极管还可以用于温度补偿电路，通过与温度系数相反的元件配合，抵消温度变化对电路性能的影响。 6. 电池管理系统：在便携式电子设备中，该齐纳二极管可以用于监控电池电压，确保电池在充电和放电过程中保持在安全范围内，避免过充或过放现象。 总之，BZX84C5V6W-7-F凭借其稳定的5.6V齐纳电压和良好的性能参数，适用于多种需要电压稳压、过压保护及参考电压源的应用场景，尤其适合低功耗、小型化的设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.6V 200MW SOT323稳压二极管 5.6V 200mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated BZX84C5V6W-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZX84C5V6W-7-F |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | BZX84C5V6W-FDITR |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±7% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323 |
| 工作温度 | -65°C ~ 125°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 1 uA |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大齐纳阻抗 | 40 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.6V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | 0.25 mV/C |
| 系列 | BZX84C5V6 |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 40 欧姆 |
| 齐纳电压 | 5.6 V |
| 齐纳电流 | 5 mA |
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