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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84C5V6TS-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84C5V6TS-7-F价格参考。Diodes Inc.BZX84C5V6TS-7-F封装/规格:二极管 - 齐纳 - 阵列, Zener Diode Array 3 Independent 5.6V 200mW ±6% SOT-363。您可以下载BZX84C5V6TS-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX84C5V6TS-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX84C5V6TS-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的二极管 - 齐纳 - 阵列型号,广泛应用于各种电路保护和电压稳压场景。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电压稳压:BZX84C5V6TS-7-F 可用于提供稳定的参考电压。齐纳二极管在反向击穿区工作时,可以保持一个恒定的电压输出,适用于需要精确电压源的电路中,例如电源稳压、基准电压源等。 2. 过压保护:该器件可以有效防止电路中的瞬态过压现象。当输入电压超过设定的阈值(如5.6V),齐纳二极管会导通并分流多余电流,从而保护下游敏感元件免受损坏。这种特性在电源输入端、传感器接口等场合尤为有用。 3. ESD防护:静电放电(ESD)是电子设备常见的威胁之一。BZX84C5V6TS-7-F 能够快速响应并吸收ESD脉冲,确保电路的安全性和可靠性,特别适合用于手持设备、消费电子产品和其他易受静电影响的系统中。 4. 信号调理:在模拟信号处理电路中,齐纳二极管可以用作箝位器来限制信号幅度。通过将信号电压限制在一个安全范围内,避免信号失真或损坏后级放大器等组件。 5. 电源管理:在一些低功耗应用中,齐纳二极管可用于简化电源设计,实现简单的线性稳压功能。此外,在多路供电系统中,它可以作为辅助电源的一部分,提供额外的稳定电压支持。 总之,BZX84C5V6TS-7-F 作为一种高性能的齐纳二极管阵列,凭借其可靠的性能和广泛的适用性,在众多电子设备和系统中发挥着重要作用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER TRIPLE 5.6V SOT363稳压二极管 200MW 5.6V |
产品分类 | 二极管/齐纳阵列分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated BZX84C5V6TS-7-F- |
数据手册 | |
产品型号 | BZX84C5V6TS-7-F |
PCN设计/规格 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 2V |
产品 | Zener Diode |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
其它名称 | BZX84C5V6TS-FDICT |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±6% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SOT-363-6 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 1 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 40 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
正向电压下降 | 0.9 V |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 5.6V |
电压容差 | 5 % |
电压温度系数 | 0.25 mV / C |
系列 | BZX84C5V6 |
配置 | Triple Parallel |
阻抗(最大值)(Zzt) | 40 欧姆 |
齐纳电压 | 5.6 V |