ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单 > BZX84C3V9-7-F
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84C3V9-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84C3V9-7-F价格参考。Diodes Inc.BZX84C3V9-7-F封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 3.9V 300mW ±5% Surface Mount SOT-23-3。您可以下载BZX84C3V9-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX84C3V9-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX84C3V9-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管系列。其典型应用场景包括以下几个方面: 1. 电压稳压: BZX84C3V9-7-F 的齐纳电压为 3.9V(标称值),适用于低电压电路中的稳压功能。它可以通过将电压限制在特定范围内,保护后续电路免受过压损害。 2. 过压保护: 在电源输入或信号传输线路中,该齐纳二极管可以用于防止瞬态高压对敏感电子元件的破坏。例如,在 USB 接口、传感器输入或通信线路中提供过压保护。 3. 参考电压源: 由于其稳定的齐纳电压特性,BZX84C3V9-7-F 可用作简单的参考电压源,为模拟电路或混合信号电路提供基准电压。 4. 信号箝位: 在信号处理电路中,该齐纳二极管可用于箝位信号电平,确保信号幅度不会超出预定范围。这在音频电路、视频电路和数据传输线路中非常常见。 5. 电源监控电路: 在一些低功耗设备中,BZX84C3V9-7-F 可用于监测电池电压或电源电压,当电压低于或高于设定值时触发报警或保护机制。 6. ESD(静电放电)保护: 齐纳二极管可以在高频或高速接口中提供一定的 ESD 保护功能,尤其是在便携式设备或手持设备中。 总结来说,BZX84C3V9-7-F 主要应用于需要低电压稳压、过压保护和信号箝位的场景,适合消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域的小型化设计需求。其小型 SOD-123FL 封装形式也使其非常适合空间受限的应用环境。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 3.9V 300MW SOT23-3稳压二极管 3.9V 350mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated BZX84C3V9-7-F- |
数据手册 | |
产品型号 | BZX84C3V9-7-F |
PCN设计/规格 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 1V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
其它名称 | BZX84C3V9-FDICT |
其它图纸 | |
功率-最大值 | 300mW |
功率耗散 | 350 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工具箱 | /product-detail/zh/Q112680/BZX2-KIT-ND/184354 |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 3 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 90 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.9V |
电压容差 | 5 % |
电压温度系数 | - 1.75 mV/C |
系列 | BZX84C3V9 |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 90 欧姆 |
齐纳电压 | 3.9 V |
齐纳电流 | 5 mA |