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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84C3V3S-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84C3V3S-7-F价格参考。Diodes Inc.BZX84C3V3S-7-F封装/规格:二极管 - 齐纳 - 阵列, Zener Diode Array 2 Independent 3.3V 200mW ±6% SOT-363。您可以下载BZX84C3V3S-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX84C3V3S-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX84C3V3S-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款齐纳二极管阵列,其主要应用场景包括以下几个方面: 1. 电压稳压 - BZX84C3V3S-7-F 的额定齐纳电压为 3.3V(±5% 精度),非常适合用于低电压电路中的稳压功能。例如,在电源电路中,它可以将电压稳定在特定值,保护后级电路免受电压波动的影响。 2. 过压保护 - 该器件可应用于敏感电子设备的过压保护。当输入电压超过设定的齐纳电压时,齐纳二极管会导通并分流多余电流,从而避免后端电路因过高电压而损坏。典型应用包括 USB 接口、传感器输入端和通信线路保护。 3. 信号电平转换 - 在需要将高电平信号转换为低电平信号的场景中,BZX84C3V3S-7-F 可以通过钳位作用实现电平转换。例如,在数字电路中,它可以帮助调整信号电平以匹配不同逻辑芯片的要求。 4. 参考电压源 - 齐纳二极管可以作为简单的参考电压源使用。BZX84C3V3S-7-F 提供稳定的 3.3V 输出,适用于一些对精度要求不高的参考电压应用场景,如比较器电路或基准电压生成。 5. ESD(静电放电)保护 - 虽然 BZX84C3V3S-7-F 不是专门的 ESD 保护器件,但其齐纳特性可以在一定程度上吸收瞬态电压脉冲,从而保护敏感元件免受静电损害。这种功能常见于手持设备、消费电子产品等。 6. 音频电路中的削波限幅 - 在音频放大器或其他模拟电路中,齐纳二极管可以用作削波限幅器,防止信号幅度过大导致失真或损坏后续电路。 总结 BZX84C3V3S-7-F 凭借其 3.3V 的齐纳电压和紧凑的 SOD-123 封装形式,广泛应用于便携式设备、消费电子、工业控制和通信系统等领域。其典型用途包括电压稳压、过压保护、信号电平转换、参考电压源以及 ESD 保护等。选择该器件时需注意其功率限制(最大耗散功率为 500mW),并确保工作条件在其规格范围内。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER DUAL 3.3V SOT363稳压二极管 3.3V 200mW |
产品分类 | 二极管/齐纳阵列分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated BZX84C3V3S-7-F- |
数据手册 | |
产品型号 | BZX84C3V3S-7-F |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 1V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
其它名称 | BZX84C3V3S-FDICT |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±6% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SOT-363 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 5 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 95 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.3V |
电压容差 | 6 % |
电压温度系数 | - 1.75 mV/C |
系列 | BZX84C3V3 |
配置 | Dual Anti Parallel |
阻抗(最大值)(Zzt) | 95 欧姆 |
齐纳电压 | 3.3 V |
齐纳电流 | 5 mA |